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一种带键槽圆轴的半导体激光熔覆方法
其他题名一种带键槽圆轴的半导体激光熔覆方法
段虎明; 赵慧峰; 王文涛; 赵兵兵
2016-10-12
专利权人山西玉华再制造科技有限公司
公开日期2016-10-12
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要本发明提供了一种带键槽的圆轴的半导体激光熔覆方法,既能修复失效的轴类零件,又能有效的保护键槽。包括以下步骤:步骤一,对圆轴和键槽进行预处理,所述键槽内放置与所述键槽配套的铝键,获得表面轮廓一致的待熔覆表面;步骤二,采用半导体激光束,对所述待熔覆表面进行激光熔覆,获得过渡层;步骤三,去除所述过渡层表面氧化物,对所述过渡层进行激光熔覆,获得熔覆层;步骤四,从所述键槽中取出所述铝键。
其他摘要本发明提供了一种带键槽的圆轴的半导体激光熔覆方法,既能修复失效的轴类零件,又能有效的保护键槽。包括以下步骤:步骤一,对圆轴和键槽进行预处理,所述键槽内放置与所述键槽配套的铝键,获得表面轮廓一致的待熔覆表面;步骤二,采用半导体激光束,对所述待熔覆表面进行激光熔覆,获得过渡层;步骤三,去除所述过渡层表面氧化物,对所述过渡层进行激光熔覆,获得熔覆层;步骤四,从所述键槽中取出所述铝键。
申请日期2016-07-26
专利号CN106011848A
专利状态申请中
申请号CN201610589430.0
公开(公告)号CN106011848A
IPC 分类号C23C24/10
专利代理人-
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85663
专题半导体激光器专利数据库
作者单位山西玉华再制造科技有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
段虎明,赵慧峰,王文涛,等. 一种带键槽圆轴的半导体激光熔覆方法. CN106011848A[P]. 2016-10-12.
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