磷化铟基窄脊波导半导体激光器的制备方法

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	磷化铟基窄脊波导半导体激光器的制备方法
其他题名	磷化铟基窄脊波导半导体激光器的制备方法
	杨涛; 许峰; 罗帅; 高凤; 季海铭
	2016-08-03
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2016-08-03
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种磷化铟基窄脊波导半导体激光器的制备方法，包括如下步骤：在磷化铟基外延片P面接触层上进行光刻，将光刻版上条形脊波导的图形转移到光刻胶上；以光刻胶为掩膜，腐蚀掉部分磷化铟基外延片上没有被光刻胶保护的P面接触层部分，形成脊形波导；将带有光刻胶的磷化铟基外延片打胶去底膜，在其上溅射一层介质薄膜；剥离脊形波导上的光刻胶和介质薄膜，形成电注入窗口；在磷化铟基外延片正面溅射或蒸发金属，形成P面电极；将磷化铟基外延片的N型衬底减薄、抛光，在N型衬底上蒸发金属，形成N面电极，并合金，形成基片；将基片烧结在热沉上，并引线，完成制备。本发明的工艺简单，产品成品率高。
其他摘要	一种磷化铟基窄脊波导半导体激光器的制备方法，包括如下步骤：在磷化铟基外延片P面接触层上进行光刻，将光刻版上条形脊波导的图形转移到光刻胶上；以光刻胶为掩膜，腐蚀掉部分磷化铟基外延片上没有被光刻胶保护的P面接触层部分，形成脊形波导；将带有光刻胶的磷化铟基外延片打胶去底膜，在其上溅射一层介质薄膜；剥离脊形波导上的光刻胶和介质薄膜，形成电注入窗口；在磷化铟基外延片正面溅射或蒸发金属，形成P面电极；将磷化铟基外延片的N型衬底减薄、抛光，在N型衬底上蒸发金属，形成N面电极，并合金，形成基片；将基片烧结在热沉上，并引线，完成制备。本发明的工艺简单，产品成品率高。
申请日期	2016-05-19
专利号	CN105826814A
专利状态	失效
申请号	CN201610333092.4
公开（公告）号	CN105826814A
IPC 分类号	H01S5/223
专利代理人	汤保平
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85654
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	杨涛,许峰,罗帅,等. 磷化铟基窄脊波导半导体激光器的制备方法. CN105826814A[P]. 2016-08-03.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN105826814A.PDF（148KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文