高功率半导体薄片激光器列阵

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	高功率半导体薄片激光器列阵
其他题名	高功率半导体薄片激光器列阵
	戴特力; 张鹏; 梁一平; 范嗣强
	2012-01-18
专利权人	重庆师范大学
公开日期	2012-01-18
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种高功率半导体薄片激光器列阵，包括泵浦光源系统、半导体增益薄片和微腔镜阵列，半导体激光阵列经整形组件整形后形成泵浦光束阵列，泵浦光束阵列入射至半导体增益薄片，微腔镜阵列用于构成谐振腔列阵，以及耦合输出激光列阵；本发明增益介质采用半导体薄片可根据半导体材料的种类、材料的组分、量子阱的厚度的不同来自行设计，激光波长覆盖了从可见光到近红外的较宽范围，克服了现有技术的增益介质的发射激光波长较为固定的缺陷；该激光列阵在光集成、光通信、光互联及高速并行计算等方面的应用有独特优势；本发明把热量分散到许多个单元，更利于激光器的散热，能输出更高的总功率，整体体积小、稳定性好、可靠性强，效率高。
其他摘要	本发明公开了一种高功率半导体薄片激光器列阵，包括泵浦光源系统、半导体增益薄片和微腔镜阵列，半导体激光阵列经整形组件整形后形成泵浦光束阵列，泵浦光束阵列入射至半导体增益薄片，微腔镜阵列用于构成谐振腔列阵，以及耦合输出激光列阵；本发明增益介质采用半导体薄片可根据半导体材料的种类、材料的组分、量子阱的厚度的不同来自行设计，激光波长覆盖了从可见光到近红外的较宽范围，克服了现有技术的增益介质的发射激光波长较为固定的缺陷；该激光列阵在光集成、光通信、光互联及高速并行计算等方面的应用有独特优势；本发明把热量分散到许多个单元，更利于激光器的散热，能输出更高的总功率，整体体积小、稳定性好、可靠性强，效率高。
申请日期	2011-09-19
专利号	CN102324692A
专利状态	失效
申请号	CN201110278192.9
公开（公告）号	CN102324692A
IPC 分类号	H01S5/04 \| H01S5/34 \| H01S5/125
专利代理人	谢殿武
代理机构	北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85478
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	重庆师范大学
推荐引用方式 GB/T 7714	戴特力,张鹏,梁一平,等. 高功率半导体薄片激光器列阵. CN102324692A[P]. 2012-01-18.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN102324692A.PDF（234KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文