Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
一种半导体激光器及其制作方法 | |
其他题名 | 一种半导体激光器及其制作方法 |
周坤; 唐淳; 高松信; 马毅; 仁怀瑾; 李弋; 杜维川; 杨小波; 谭昊; 孟慧成; 彭珏; 康俊杰 | |
2017-04-26 | |
专利权人 | 中国工程物理研究院应用电子学研究所 |
公开日期 | 2017-04-26 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | 本发明提供了一种半导体激光器及其制作方法,该方案包括有从下至上依次设置的n型衬底、n型第一下光学限制层、n型第一波导层、n型第二下光学限制层、n型第二下波导层、多量子阱有源区、p型第二上波导层、p型第二上光学限制层和p型接触层;该方案在低光损耗的n型部分设置一个非对称的厚波导,并在激光器芯片后腔面蒸镀高反膜,前腔面蒸镀抗反射膜,然后在出光前腔面的第二波导处刻蚀形成布拉格反射镜,利用包含多量子阱有源区的第二波导与第一波导的耦合,实现第一波导处的出射光斑的圆对称分布。 |
其他摘要 | 本发明提供了一种半导体激光器及其制作方法,该方案包括有从下至上依次设置的n型衬底、n型第一下光学限制层、n型第一波导层、n型第二下光学限制层、n型第二下波导层、多量子阱有源区、p型第二上波导层、p型第二上光学限制层和p型接触层;该方案在低光损耗的n型部分设置一个非对称的厚波导,并在激光器芯片后腔面蒸镀高反膜,前腔面蒸镀抗反射膜,然后在出光前腔面的第二波导处刻蚀形成布拉格反射镜,利用包含多量子阱有源区的第二波导与第一波导的耦合,实现第一波导处的出射光斑的圆对称分布。 |
申请日期 | 2016-12-30 |
专利号 | CN106602404A |
专利状态 | 申请中 |
申请号 | CN201611256072.8 |
公开(公告)号 | CN106602404A |
IPC 分类号 | H01S5/125 |
专利代理人 | 沈强 |
代理机构 | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85475 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 中国工程物理研究院应用电子学研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 周坤,唐淳,高松信,等. 一种半导体激光器及其制作方法. CN106602404A[P]. 2017-04-26. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN106602404A.PDF(89KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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