Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導體激光器和其製造方法 | |
| 其他题名 | 半導體激光器和其製造方法 |
| 長谷川義晃; 橫川俊哉 | |
| 2009-02-20 | |
| 专利权人 | 松下電器產業株式會社 |
| 公开日期 | 2009-02-20 |
| 授权国家 | 中国香港 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 一种半导体激光器，在基板(11)上顺序层叠n型半导体层(13)、活性层(101)和p型半导体层(24)，所述活性层(101)包含由InGaN所构成的阱层，在活性层(101)和p型半导体层(24)之间，形成实质上不掺杂杂质的由氮化镓系列化合物半导体所构成的中间层(21)。利用该半导体激光器，可实现高的光输出动作下的长寿命。 |
| 其他摘要 | 一种半导体激光器，在基板(11)上顺序层叠n型半导体层(13)、活性层(101)和p型半导体层(24)，所述活性层(101)包含由InGaN所构成的阱层，在活性层(101)和p型半导体层(24)之间，形成实质上不掺杂杂质的由氮化镓系列化合物半导体所构成的中间层(21)。利用该半导体激光器，可实现高的光输出动作下的长寿命。 |
| 申请日期 | 2008-09-04 |
| 专利号 | HK1118962A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | HK08109854 |
| 公开（公告）号 | HK1118962A |
| IPC 分类号 | H01S |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | 安達知識產權服務公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85372 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器產業株式會社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 長谷川義晃,橫川俊哉. 半導體激光器和其製造方法. HK1118962A[P]. 2009-02-20. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN101188344A.PDF（1658KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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