Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
Semiconductor light emitting device and manufacturing method therefor | |
其他题名 | Semiconductor light emitting device and manufacturing method therefor |
SHAKUDA, YUKIO | |
2006-02-07 | |
专利权人 | ROHM CO., LTD. |
公开日期 | 2006-02-07 |
授权国家 | 美国 |
专利类型 | 授权发明 |
摘要 | A semiconductor light emitting device of double hetero junction includes an active layer and clad layers. The clad layers include an n-type layer and p-type layer. The clad layers sandwich the active layer. A band gap energy of the clad layers is larger than that of the active layer. The band gap energy of the n-type clad layer is smaller than of the p-type clad layer. |
其他摘要 | 双异质结的半导体发光器件包括有源层和包层。包层包括n型层和p型层。包层将有源层夹在中间。包层的带隙能量大于有源层的带隙能量。n型覆盖层的带隙能量小于p型覆盖层的带隙能量。 |
申请日期 | 2000-06-27 |
专利号 | US6996150 |
专利状态 | 失效 |
申请号 | US09/604097 |
公开(公告)号 | US6996150 |
IPC 分类号 | H01S5/20 | H01S5/00 | H01L33/00 | H01L33/32 | H01S5/32 | H01S5/323 |
专利代理人 | - |
代理机构 | STERNE KESSLER GOLDSTEIN & FOX PLLC |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85325 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | ROHM CO., LTD. |
推荐引用方式 GB/T 7714 | SHAKUDA, YUKIO. Semiconductor light emitting device and manufacturing method therefor. US6996150[P]. 2006-02-07. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
US6996150.PDF(532KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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