Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ素子 | |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 加藤 隆志 | |
| 2008-01-24 | |
| 专利权人 | SUMITOMO ELECTRIC IND LTD |
| 公开日期 | 2008-01-24 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 活性層へのキャリアの注入を妨げにくいキャリアストッパー層を有する半導体レーザ素子を提供する。 【解決手段】 半導体レーザ素子10aは、活性層15と、活性層上に設けられたp型クラッド層18を有する。活性層とp型クラッド層との間には電子ストッパー層17が設けられている。この電子ストッパー層は、活性層の伝導帯下端よりも高い伝導帯下端を有し、かつp型クラッド層の価電子帯上端よりも低い価電子帯上端を有する。電子ストッパー層の価電子帯上端は、p型クラッド層の側から活性層の側に向かって単調に低下する。 【選択図】図3 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：提供一种包括载流子阻挡层的半导体激光器件，其几乎不阻止载流子注入有源层。ŽSOLUTION：半导体激光器件10a包括：有源层15;以及设置在有源层上的p型覆层18。电子阻挡层17设置在有源层和p型覆层之间。电子阻挡层的导电带的下端高于有源层的导电带的下端，并且其电价带的上端低于p型包层的价带的上端。层。电子阻挡层的价带的上端从p型覆层侧平坦地下降到有源层侧。Ž |
| 申请日期 | 2006-07-05 |
| 专利号 | JP2008016618A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP2006185864 |
| 公开（公告）号 | JP2008016618A |
| IPC 分类号 | H01S5/30 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 長谷川 芳樹 | 寺崎 史朗 | 柴田 昌聰 | 池田 成人 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85323 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SUMITOMO ELECTRIC IND LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 加藤 隆志. 半導体レーザ素子. JP2008016618A[P]. 2008-01-24. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2008016618A.PDF（94KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [加藤 隆志]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [加藤 隆志]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [加藤 隆志]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论