Light-emitting device

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	Light-emitting device
其他题名	Light-emitting device
	KOYAMA, TOMOKO; KANEKO, TAKEO
	2003-01-28
专利权人	SEIKO EPSON CORPORATION
公开日期	2003-01-28
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	A light-emitting device (1000) has a light-emitting device section (100) and a waveguide section (200) for transmitting light emitted from the light-emitting device section, which are integrally formed on a substrate (10). The light-emitting device section (100) has a transparent anode (200) which is formed on the substrate (10) and forms a light-transmitting section, a grating which is formed in part of the anode (20), an insulation layer (16) having an opening (16a) facing the grating (12), a light-emitting layer (14) at least part of which is formed in the opening (16a) of the insulation layer (16), and a cathode (22). A waveguide section (200) has a core layer (30) which is formed on the substrate (10) and is integrally formed with the anode (20), and a cladding layer (32) which covers an exposed area of the core layer (30) and is integrally formed with the insulation layer (16). The light-emitting layer can emit light excelling in wavelength selectivity and having directivity, and can be applied to not only displays but also optical communications and the like.
其他摘要	发光装置（1000）具有发光装置部分（100）和用于透射从发光装置部分发射的光的波导部分（200），其一体地形成在基板（10）上。发光装置部分（100）具有透明阳极（200），其形成在基板（10）上并形成透光部分，光栅形成在阳极（20）的一部分中，绝缘层（16）具有面向光栅（12）的开口（16a），至少部分形成在绝缘层（16）的开口（16a）中的发光层（14）和阴极（22））。波导部分（200）具有芯层（30）和覆盖层（32），芯层（30）形成在基板（10）上并与阳极（20）一体形成，覆层（32）覆盖芯层的暴露区域（ 30）并与绝缘层（16）整体形成。发光层可以发出波长选择性优异且具有方向性的光，并且不仅可以应用于显示器，还可以应用于光通信等。
申请日期	2001-02-09
专利号	US6512250
专利状态	失效
申请号	US09/762614
公开（公告）号	US6512250
IPC 分类号	G02B6/42 \| H01S5/026 \| H01S5/00 \| G02B6/12 \| H01L33/00
专利代理人	-
代理机构	OLIFF & BERRIDGE,PLC
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85274
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	SEIKO EPSON CORPORATION
推荐引用方式 GB/T 7714	KOYAMA, TOMOKO,KANEKO, TAKEO. Light-emitting device. US6512250[P]. 2003-01-28.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US6512250.PDF（1617KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文