Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザー装置 | |
| 其他题名 | 半導体レーザー装置 |
| 蔵町 照彦; 氏家 善宏 | |
| 2007-01-18 | |
| 专利权人 | FUJIFILM HOLDINGS CORP |
| 公开日期 | 2007-01-18 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 半導体レーザー素子を半田によりジャンクションダウン構造でヒートシンクに固定してなる半導体レーザー装置において、発光領域に生じる応力を十分に低減する。 【解決手段】 基板1s上に複数の半導体層1cが形成されるとともに、該層1cの基板と反対側の表面に電極1dが形成されてなる半導体レーザー素子1と、この半導体レーザー素子1が、前記電極1dが形成された表面側から半田7で接合されたヒートシンク2とを備えてなる半導体レーザー装置10において、融解後に固化した半田7によって半導体レーザー素子1がヒートシンク2に接合された状態において、該半田7と半導体レーザー素子1の光導波路Qとの距離が20μm以上有るようにする。 【選択図】図1 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：在半导体激光器件中充分减少在发光区域中产生的应力，其中半导体激光器元件固定到具有焊料结结构的散热器。 解决方案：该半导体激光装置1包括半导体激光元件1，该半导体激光元件1具有形成在基板1s上的多个半导体层1c和形成在与层1c的基板相对的表面上的电极1d，并且，在半导体激光元件1通过熔化后固化的焊料7与散热器2接合的状态下，从形成有电极1d的表面侧与焊料7接合的散热器2，使得焊料7与半导体激光器件1的光波导Q之间的距离为20μm或更大。 点域1 |
| 申请日期 | 2005-07-01 |
| 专利号 | JP2007013002A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP2005194094 |
| 公开（公告）号 | JP2007013002A |
| IPC 分类号 | H01L21/52 | H01S5/042 | H01S5/022 | H01S5/00 | H01L21/02 |
| 专利代理人 | 柳田 征史 | 佐久間 剛 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85271 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJIFILM HOLDINGS CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 蔵町 照彦,氏家 善宏. 半導体レーザー装置. JP2007013002A[P]. 2007-01-18. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2007013002A.PDF（127KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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