Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ素子 | |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 川中 敏; 田中 俊明 | |
| 1998-08-07 | |
| 专利权人 | 株式会社日立製作所 |
| 公开日期 | 1998-08-07 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】アスペクト比が小さく、光出力-電流特性が優れた高信頼の半導体レーザ素子を容易に実現できる素子構造を提供する。 【解決手段】半導体基板上にGaInP/AlGaInP量子井戸構造を活性領域としたダブルヘテロ構造を有し、電流狭窄構造となる埋込構造を設けたAlGaInP半導体レーザ素子において、レーザ光の吸収が少ない半導体結晶として無秩序化させたGaInP混晶を埋込層の一部に用い、埋込層の中でレーザ光に対して吸収層となる層へのレーザ光の漏れを抑制した構造とし、電流狭窄を行うストライプ構造の幅を狭めて高次の横モードを抑制する。 |
| 其他摘要 | 提供一种能够容易地实现具有小纵横比和优异的光输出电流特性的高可靠性半导体激光元件的元件结构。 解决方案：在具有双异质结构的AlGaInP半导体激光器件中，其中GaInP / AlGaInP量子阱结构用作半导体衬底上的有源区并且具有用作电流限制结构的掩埋结构，半导体我们使用无序的GaInP混晶作为晶体作为埋层的一部分，以抑制激光泄漏到相对于掩埋层中的激光成为吸收层的层，减小要执行的条纹结构的宽度并抑制高阶横模。 |
| 申请日期 | 1997-01-17 |
| 专利号 | JP1998209553A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1997006113 |
| 公开（公告）号 | JP1998209553A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 小川 勝男 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85212 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 川中 敏,田中 俊明. 半導体レーザ素子. JP1998209553A[P]. 1998-08-07. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1998209553A.PDF（40KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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