Semiconductor laser diode and semiconductor laser diode assembly containing the same

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	Semiconductor laser diode and semiconductor laser diode assembly containing the same
其他题名	Semiconductor laser diode and semiconductor laser diode assembly containing the same
	KWAK, JOON-SEOP; CHAE, SU-HEE
	2004-10-20
专利权人	SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
公开日期	2004-10-20
授权国家	欧洲专利局
专利类型	发明申请
摘要	Provided is a semiconductor laser diode. The semiconductor laser diode (100a) includes a first material layer (120), an active layer (130), and a second material layer (140), characterized in that the semiconductor laser diode includes: a ridge waveguide (200), which is formed in a ridge shape over the second material layer (140) to define a channel (180) defined so that a top material layer (143) of the second material layer (140) is limitedly exposed, and in which a second electrode layer (170) which is in contact with the top material layer (143) of the second material layer (140) via the channel (180) is formed; and a first protrusion (210), which is positioned at one side of the ridge waveguide (200) and has not less height than that of the ridge waveguide (200).
其他摘要	提供一种半导体激光二极管。半导体激光二极管（100a）包括第一材料层（120），有源层（130）和第二材料层（140），其特征在于，半导体激光二极管包括：脊形波导（200），其是在第二材料层（140）上方形成脊形以限定通道（180），所述通道（180）限定为使得第二材料层（140）的顶部材料层（143）被有限地暴露，并且其中第二电极层（ 170）形成通过通道（180）与第二材料层（140）的顶部材料层（143）接触;第一突起（210）位于脊形波导（200）的一侧，其高度不小于脊形波导（200）的高度。
申请日期	2003-12-23
专利号	EP1469569A2
专利状态	授权
申请号	EP2003258213
公开（公告）号	EP1469569A2
IPC 分类号	H01S5/022 \| H01S3/0941 \| H01S5/00 \| H01S5/042 \| H01S5/22 \| H01S5/323
专利代理人	-
代理机构	GREENE, SIMON KENNETH
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85199
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
推荐引用方式 GB/T 7714	KWAK, JOON-SEOP,CHAE, SU-HEE. Semiconductor laser diode and semiconductor laser diode assembly containing the same. EP1469569A2[P]. 2004-10-20.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
EP1469569A2.PDF（340KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文