Semiconductor light emitting element

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	Semiconductor light emitting element
其他题名	Semiconductor light emitting element
	KINOSHITA JIYUNICHI; UEMATSU YUTAKA
	1983-03-14
专利权人	TOKYO SHIBAURA DENKI KK
公开日期	1983-03-14
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To attain a current stricture with good efficiency, decrease the controllability of a crystal growth and allow a high output operation, by processing a semi-insulating substrate. CONSTITUTION:A groove is provided on the plane (100) of an Fe doped semi- insulating InP substrate 1 in the direction (011) by using a mask constituted of an Si dioxide film, etc. and formed by a reactive etchant then resulting in the section in a pit shape. Next, an N type InP layer 2, an InGaAsP active layer 3, a P type InP layer 4 and a P type InGaAsP layer 5 to obtain a good ohmic characteristics are successively formed on the semi-insulating InP substrate 1'. Since an active layer 3 becomes crescent at the groove part, it has also a lateral directional light wave guiding function due to the variation of the refractive index. The semi-insulating substrate 1' is thinned from the surface opposite to the crystal growing plane. An N type and P type electrodes are respectively formed on both surfaces of this wafer by an evaporation and a heat treatment. The current stricture is performed with good efficiency by the semi-insulating part 1', the conduction of a stricture layer does not happen, and then a high output can be attained.
其他摘要	目的：通过加工半绝缘基板，以高效率获得电流限制，降低晶体生长的可控性并实现高输出操作。组成：通过使用由二氧化硅薄膜等构成的掩模，在方向（011）的Fe掺杂的半绝缘InP衬底1的平面（100）上提供凹槽，并由反应性蚀刻剂形成，然后导致坑形的部分。接着，在半绝缘InP衬底1'上依次形成N型InP层2，InGaAsP有源层3，P型InP层4和P +型InGaAsP层5，以获得良好的欧姆特性。由于有源层3在沟槽部分变为新月形，因此由于折射率的变化，它还具有横向定向光波导引功能。半绝缘衬底1'从与晶体生长平面相对的表面变薄。通过蒸发和热处理在该晶片的两个表面上分别形成N型和P型电极。通过半绝缘部分1'以高效率执行电流狭窄，不会发生狭窄层的传导，然后可以获得高输出。
申请日期	1981-09-10
专利号	JP1983043592A
专利状态	失效
申请号	JP1981141747
公开（公告）号	JP1983043592A
IPC 分类号	H01L33/14 \| H01L33/24 \| H01L33/30 \| H01L33/36 \| H01S5/00 \| H01S5/223 \| H01L33/00 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85141
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	TOKYO SHIBAURA DENKI KK
推荐引用方式 GB/T 7714	KINOSHITA JIYUNICHI,UEMATSU YUTAKA. Semiconductor light emitting element. JP1983043592A[P]. 1983-03-14.

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文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1983043592A.PDF（150KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文