Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体装置 | |
| 其他题名 | 半導体装置 |
| 岡 徹; 工藤 真 | |
| 1999-12-24 | |
| 专利权人 | HITACHI LTD |
| 公开日期 | 1999-12-24 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】高い濃度に炭素をドーピングすることによって生じるp型GaAs層の活性化率低下を抑制する。 【解決手段】炭素ドープのGaAs層にアンチモンSbを添加し、Asの一部をSbで置き換えることによって、炭素がIII 族であるGaの結晶格子位置に取り込まれる量を低下させる。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：通过在GaAs衬底上形成的碳掺杂的p型GaAs层中添加锑来抑制由于在其中掺杂高浓度碳而导致的半导体器件的激活因子的降低。解决方案：在半绝缘GaAs（100）衬底1上，形成具有添加的锑（Sb）的高浓度碳掺杂p型GaAs层2。 p型GaAs层2可以通过各种方法形成，例如分子束外延（MBE）方法和金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法。这里，使用固体Ga，砷化氢（AsH3），固体Sb和四溴化碳（CBr4）作为镓，砷，锑和碳的原料，通过气源MBE法生长p型GaAs层2。 。结果，获得添加Sb的碳掺杂的p型GaAs层2的薄膜。 |
| 申请日期 | 1998-06-05 |
| 专利号 | JP1999354451A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1998157129 |
| 公开（公告）号 | JP1999354451A |
| IPC 分类号 | H01L29/205 | H01L29/73 | H01L21/203 | H01L21/331 | H01S5/00 | H01L29/737 | H01L21/205 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 小川 勝男 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85090 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岡 徹,工藤 真. 半導体装置. JP1999354451A[P]. 1999-12-24. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1999354451A.PDF（30KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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