Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| Semiconductor laser device | |
| 其他题名 | Semiconductor laser device |
| SHIGIHARA, KIMIO | |
| 2015-12-01 | |
| 专利权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION |
| 公开日期 | 2015-12-01 |
| 授权国家 | 美国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | A semiconductor laser device includes an n-type semiconductor substrate, an n-type cladding layer laminated on the semiconductor substrate, an n-side light guiding layer laminated on the n-type cladding layer, an active layer laminated on the n-side light guiding layer, a p-side light guiding layer laminated on the active layer, and a p-type cladding layer laminated on the p-side light guiding layer. The sum of the thicknesses of the n-side and p-side light guiding layers is such that the first and higher order modes of oscillation can occur in the crystal growth direction. A low refractive index layer having a lower refractive index than the n-type cladding layer is located between the n-side light guiding layer and the n-type cladding layer, and the active layer is displaced from the lateral center plane of the light guiding layer structure toward the p-type cladding layer. |
| 其他摘要 | 半导体激光装置包括n型半导体基板，层叠在半导体基板上的n型包覆层，层叠在n型包覆层上的n侧导光层，层叠在n侧光上的有源层引导层，层叠在有源层上的p侧导光层，以及层叠在p侧导光层上的p型包覆层。n侧和p侧导光层的厚度之和使得第一和更高阶振荡模式可以在晶体生长方向上发生。具有比n型包覆层低的折射率的低折射率层位于n侧导光层和n型包覆层之间，并且有源层从光导的横向中心平面移位层结构朝向p型包层。 |
| 申请日期 | 2013-12-17 |
| 专利号 | US9203216 |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | US14/108452 |
| 公开（公告）号 | US9203216 |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S5/20 | H01S5/22 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | LEYDIG, VOIT & MAYER, LTD. |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85019 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | SHIGIHARA, KIMIO. Semiconductor laser device. US9203216[P]. 2015-12-01. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| US9203216.PDF（1509KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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