Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 窒化物系発光素子及びその製造方法 | |
| 其他题名 | 窒化物系発光素子及びその製造方法 |
| 宋 俊 午; 成 泰 連; 林 東 ▲せき▼ | |
| 2005-07-14 | |
| 专利权人 | 三星電子株式会社 |
| 公开日期 | 2005-07-14 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】窒化物系発光素子及びその製造方法を提供する。 【解決手段】基板、n型クラッド層、活性層、p型クラッド層、マルチオーミックコンタクト層が順次に積層されており、マルチオーミックコンタクト層は、第1透明薄膜層/Ag/第2透明薄膜層より形成される窒化物系発光素子である。このような窒化物系発光素子及びその製造方法によれば、p型クラッド層とのオーミック接触特性が改善されて、優秀な電流-電圧特性を表すだけでなく、透明電極が有する高い光透過性によって素子の発光効率を高めうる。 【選択図】図1 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：提供基于氮化物的发光元件和制造该元件的方法。解决方案：依次堆叠衬底，n型覆层，有源层，p型覆层和多欧姆接触层，并且多个欧姆接触层是由氮化物基发光元件形成的第一透明薄膜层，Ag层和第二透明薄膜层。根据这种氮化物基发光元件和制造该元件的方法，改善了p型覆层的欧姆接触特性，从而表现出优异的电流 - 电压特性。此外，透明电极的高透光率提高了元件的发光效率。 Ž |
| 申请日期 | 2004-12-22 |
| 专利号 | JP2005191572A |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | JP2004371533 |
| 公开（公告）号 | JP2005191572A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01L33/06 | H01L33/42 | H01L29/10 | H01L33/32 | H01L33/00 |
| 专利代理人 | 八田 幹雄 | 奈良 泰男 | 齋藤 悦子 | 宇谷 勝幸 | 藤井 敏史 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84871 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三星電子株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宋 俊 午,成 泰 連,林 東 ▲せき▼. 窒化物系発光素子及びその製造方法. JP2005191572A[P]. 2005-07-14. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2005191572A.PDF（101KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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