半導体レーザ素子

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	半導体レーザ素子
其他题名	半導体レーザ素子
	田中俊明; 内田憲治; 渡辺明禎; 赤松正一; 皆川重量
	1997-02-07
专利权人	株式会社日立製作所
公开日期	1997-02-07
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【目的】本発明の目的は、室温において青紫色波長領域のレ-ザ動作を行う半導体レーザ素子を提供することにある。【構成】絶縁膜マスク4を用いて選択成長を行うことにより、Nitride材料からなる導波路ストライプを(0001)C面サファイア基板の(11-20)A面に平行な方向に形成する。このとき、絶縁膜SiO2マスク4の間隔W1を1〜2μm範囲とし、マスク幅W2を5〜30μm範囲に設けた。次に、絶縁膜でカバ-し、リソグラフィ-により、p及びn電極を蒸着する。この後、劈開スクライブする。【効果】本発明によれば、断面形状を矩形状に制御した低損失の光導波路層を作製でき、さらに実屈折率差によって基本横モ-ドが安定に導波される横モ-ド制御型BH構造が実現できる。本素子は室温において発振し、発振波長410〜430nmの範囲であった。
其他摘要	本发明的目的的目的是在室温下的蓝 - 紫波长区 - 用于执行该操作提供一种半导体激光器件。 [配置]通过使用绝缘体掩模4，波导条纹（0001）由蓝宝石衬底的氮化物材料C面的执行选择性生长（11-20）形成在平行于A面的方向上。此时，绝缘膜的SiO 2 间隔W掩模4 1 和1〜2μm的范围内的，掩模的5〜30μm的范围的宽度W 2 它提供的。接下来，用绝缘膜覆盖，通过光刻沉积p和n电极。在此之后，切割抄写员。根据本发明的实施例，它可以产生具有矩形形状的受控剖面形状低损耗的光波导层，还基本由真实折射率差YOKOMO - yokomo德被稳定地引导 - 德控制可以实现BH型结构。该元件在室温下振荡，并且在振荡波长范围410至430nm。
申请日期	1995-07-14
专利号	JP1997036473A
专利状态	失效
申请号	JP1995178402
公开（公告）号	JP1997036473A
IPC 分类号	H01S5/323 \| H01S5/343 \| H01S5/227 \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	小川勝男
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84677
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	株式会社日立製作所
推荐引用方式 GB/T 7714	田中俊明,内田憲治,渡辺明禎,等. 半導体レーザ素子. JP1997036473A[P]. 1997-02-07.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1997036473A.PDF（52KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文