半導体光集積素子

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	半導体光集積素子
其他题名	半導体光集積素子
	田中信介; 森戸健
	2008-08-28
专利权人	富士通株式会社
公开日期	2008-08-28
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】互いに等価屈折率の異なる異種の光導波路間における光信号の反射を生ぜしめることなく、光結合における反射損失及び放射損失の発生を可及的に抑止し、極めて良好な光結合特性を得ることができる信頼性の高い半導体光集積素子を実現する。【解決手段】単一の半導体基板1上に互いに等価屈折率の異なる第1の光導波路2と第2の光導波路3とが並列配設されており、両者の光導波路2,3間における光結合を行う方向性結合器が構成される。第1の光導波路2を伝播してきた第1の光導波モードM1の光信号は、両者の光導波路2,3が平行に隣接する方向性結合器領域4内で生ずる光導波モードの変換作用により、第2の光導波路3を伝播する、第1の光導波モードM1と異なる第2の光導波モードM2にほぼ完全に変換され、出力される。【選択図】図1
其他摘要	要解决的问题：为了提供一种尽可能完美地抑制光接合中的反射损失而不会在等效折射率下彼此不同的光波导之间产生光信号反射的半导体光学集成元件，可以获得优异的特性光接合，可靠性高。解决方案：第一光波导2和第二光波导3在等效折射率方面彼此不同，并行地位于单个半导体基板1上，并且在光波导2之间进行光连接的方向连接器3，在木工区域形成。从第一光波导2发射的第一光波导模式M 1 的光信号通过在定向连接区域4中产生的光波导模式的转换操作被传输到光波导3。光波导2,3平行相邻，几乎完全转换成与第一光波导模式M SB1不同的第二光波导模式M SB2 ，并输出。 Ž
申请日期	2007-02-15
专利号	JP2008198944A
专利状态	失效
申请号	JP2007035318
公开（公告）号	JP2008198944A
IPC 分类号	G02B6/122 \| H01S5/026 \| H01S5/00
专利代理人	國分孝悦
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84655
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	富士通株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	田中信介,森戸健. 半導体光集積素子. JP2008198944A[P]. 2008-08-28.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2008198944A.PDF（267KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文