半導体レーザ素子

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	半導体レーザ素子
其他题名	半導体レーザ素子
	北村智之; 浜口雄一; 平田照二
	2001-02-09
专利权人	SONY CORP
公开日期	2001-02-09
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】 NFPを安定させる構成を備えた半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】本半導体レーザ素子10は、基板12上に、第1バッファ層14、第2バッファ層16、n型クラッド層18、活性層/ガイド層20、p型クラッド層22、及びp型キャップ層24のダブルヘテロ接合積層構造を備える。p型クラッド層22の上部及びp型キャップ層24は、ストライプ幅Wが100μmのリッジ状ワイドストライプとして形成され、リッジ状ワイドストライプの両側は電流非注入領域26となっている。p型キャップ層24の上層には、細い帯状の電流非注入領域28が、複数本、電流非注入領域26との境界線に平行な方向に延在している。本半導体レーザ素子10では、電流注入時、ストライプ内に設けられた電流非注入領域28の直下の活性層20内の部分34のキャリア密度が、それ以外の部分のキャリア密度より低い。これにより、活性層20内に利得分布が生じ、横モードが閉じ込められることになるので、NFPが安定する。
其他摘要	要解决的问题：提供一种具有稳定NFP的构造的半导体激光器。解决方案：该半导体激光器10具有第一缓冲层14，第二缓冲层16，n型覆盖层18，有源层/引导层20，p型覆盖层22，以及在衬底12上的p型覆盖层24.p型覆盖层22和p型覆盖层24的上部形成为具有100mm的条宽w的脊状宽条，并且在脊状宽条的两侧形成电流非注入区26。在p型盖层24的上部区域中，薄带状的非电流注入区域28平行于电流非注入区域26的边界线延伸。当注入电流时，在该半导体激光器装置10中，设置在条中的电流非注入区28正下方的有源层20中的部分34中的载流子密度低于其它部分中的载流子密度。因此，在有源层20中产生增益分布，并且限制横向模式，使得NFP变得稳定。
申请日期	1999-07-19
专利号	JP2001036193A
专利状态	失效
申请号	JP1999204895
公开（公告）号	JP2001036193A
IPC 分类号	H01S \| H01S5/042 \| H01S5/227 \| H01S5/00
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84624
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	SONY CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	北村智之,浜口雄一,平田照二. 半導体レーザ素子. JP2001036193A[P]. 2001-02-09.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2001036193A.PDF（69KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文