半導体レ-ザ装置

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	半導体レ-ザ装置
其他题名	半導体レ-ザ装置
	黒田崇郎; 渡辺明禎; 辻伸二; 大石昭夫; 松村宏善
	1996-03-04
专利权人	株式会社日立製作所
公开日期	1996-03-04
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	PURPOSE:To stably oscillate in a long wavelength range or in a short wavelength range by using a binary or ternary mixed crystal superlattice structure instead of a quarternary mixed crystal layer matched in lattice to a group III-V 2-element mixed crystal substrate such as GaAS. CONSTITUTION:An N-type InP clad layer, an undoped quantum well active layer, a P-type InP clad layer are sequentially grown on an n+-InP substrate. The well layer is a single layer of In0.53Ga0.47As, and InP/In0.53Ga0.47As superlattice is used for a barrier layer. The thickness dB of one group of the superlattice for forming the barrier layer is see to dBapprox.=84-112Angstrom so as not to cause electrons in the wells of multiple quantum wells to tunnel. After this crystal is mesa etched, a buried layer is manufactured by a liquid-phase growing method. The, in a wavelength range of 3-55mum approximately a half of the threshold current value of InGaAsP/InP laser by the normal liquid-phase growing method is obtained to provide an element of excellent temperature characteristic.
其他摘要	用途：通过使用二元或三元混合晶体超晶格结构代替在晶格中与III-V 2元素混合晶体基板匹配的四分之一混合晶体层，在长波长范围或短波长范围内稳定振荡，如砷化镓。组成：N +型InP包层，未掺杂的量子阱有源层，P型InP包层在n + -InP衬底上顺序生长。阱层是单层In0.53Ga0.47As，InP / In0.53Ga0.47As超晶格用于阻挡层。用于形成阻挡层的一组超晶格的厚度dB参见dBapprox。= 84-112埃，以便不使多个量子阱的阱中的电子隧穿。在对该晶体进行台面蚀刻之后，通过液相生长方法制造掩埋层。通过常规的液相生长方法，在3-55μm的波长范围内，获得InGaAsP / InP激光器的阈值电流值的大约一半，以提供具有优异温度特性的元件。
申请日期	1985-09-04
专利号	JP1996021748B2
专利状态	失效
申请号	JP1985193739
公开（公告）号	JP1996021748B2
IPC 分类号	H01L29/80 \| H01S5/00 \| H01S5/343 \| H01L29/15 \| H01S5/34 \| H01L33/00 \| H01L31/10 \| B82Y20/00 \| H01S3/18
专利代理人	小川勝男 (外1名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84582
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	株式会社日立製作所
推荐引用方式 GB/T 7714	黒田崇郎,渡辺明禎,辻伸二,等. 半導体レ-ザ装置. JP1996021748B2[P]. 1996-03-04.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1996021748B2.PDF（16KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文