Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| Semiconductor laser device | |
| 其他题名 | Semiconductor laser device |
| NAKANO MUNEAKI; WADA MASARU | |
| 1989-08-14 | |
| 专利权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 公开日期 | 1989-08-14 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | PURPOSE:To suppress mode hopping noise by making current injection region to be discontinuous so that no current may be injection partially in the direction of cavity. CONSTITUTION:Two parallel ridges are formed in the direction of by etching sandwiching a groove on an n-type GaAs substrate 2 of orientation crystal surface 100. A clad layer 3 by n type GaAlAs is formed on ridge above it by the liquid phase epitaxial method, an active layer 4 by non-dope GaAlAs is formed at the same place, and then a clad layer 5 by p type GaAlAs and a cap layer 6 by n-type GaAs are allowed to grow continuously. Then, after forming a stripe shape mask on the cap layer 6 by a nitride film 9 leaving the central part partially, zinc is diffused and a zinc diffusion region 7 is formed. And then, the nitriding film 9 is removed and electrodes 1 and 8 are formed. It allows noise level to be reduced by self pulsation. |
| 其他摘要 | 目的：通过使电流注入区域不连续来抑制模式跳跃噪声，使得没有电流可以部分地沿腔的方向注入。组成：通过蚀刻夹在取向晶体表面100的n型GaAs衬底2上的凹槽，在方向上形成两个平行的脊。由液体在其上方的脊上形成n型GaAlAs的包层3在相位外延法中，在相同的位置形成由非掺杂GaAlAs形成的有源层4，然后使由p型GaAlAs形成的包层5和由n型GaAs形成的覆盖层6连续生长。然后，在通过部分地离开中心部分的氮化膜9在盖层6上形成条形掩模之后，扩散锌并形成锌扩散区域7。然后，除去氮化膜9，形成电极1和8。它可以通过自身脉动降低噪音水平。 |
| 申请日期 | 1988-02-05 |
| 专利号 | JP1989201981A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1988026084 |
| 公开（公告）号 | JP1989201981A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S5/065 | H01S5/22 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84560 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | NAKANO MUNEAKI,WADA MASARU. Semiconductor laser device. JP1989201981A[P]. 1989-08-14. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1989201981A.PDF（110KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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