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レーザーダイオード
其他题名レーザーダイオード
トーマス エル.パオリ; デービッド ピー.ボアー
1995-08-04
专利权人ゼロックス コーポレイション
公开日期1995-08-04
授权国家日本
专利类型发明申请
摘要【目的】 より広い波長範囲で動作可能なデュアル偏光レーザダイオードを提供する。 【構成】 特定なひずみが与えられたIII-V 族四元合金のQWを活性層とし、キャビティ内の一部に光学的損失または非ポンピング領域を制御可能に意図的に導入することにより、広い波長範囲で動作可能なデュアル偏光レーザダイオードが提供される。
其他摘要目的:通过允许电流在特定合金的晶体衬底上的特定合金的晶体有源层中流动,允许在宽波长范围内操作二极管,从而在特定波长下产生TM偏振激光辐射。组成:一个结晶有源层24,涂在具有第一晶格常数和第一带隙的III-V族合金的晶体衬底20上,因此包括III-V四元合金(InGaAsP或AlGaAsP),以便具有第二晶格当不存在应变时,小于第一晶格常数和第二带隙的常数。当它涂覆在基板20上时,给出膨胀应变以便具有第三带隙,当施加应变时,第三带隙小于第二带隙。电流从电极28和29流到有源层24,导致在有源层24处发生波长超过600nm的TM偏振激光辐射。因此,激光二极管19在宽波长范围内操作。
申请日期1994-12-22
专利号JP1995202329A
专利状态失效
申请号JP1994320898
公开(公告)号JP1995202329A
IPC 分类号H01S5/30 | H01S | H01S5/026 | H01S5/00 | H01S3/18
专利代理人中島 淳 (外2名)
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84559
专题半导体激光器专利数据库
作者单位ゼロックス コーポレイション
推荐引用方式
GB/T 7714
トーマス エル.パオリ,デービッド ピー.ボアー. レーザーダイオード. JP1995202329A[P]. 1995-08-04.
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JP1995202329A.PDF(58KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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