半導体レーザおよび光ディスク装置

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	半導体レーザおよび光ディスク装置
其他题名	半導体レーザおよび光ディスク装置
	平田照二
	2009-08-28
专利权人	ソニー株式会社
公开日期	2009-11-11
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	【課題】光ディスク装置の光源に用いた場合に戻り光雑音を極めて少なくすることができる半導体レーザおよびこの半導体レーザを光源に用いた光ディスク装置を提供する。【解決手段】活性層をn側クラッド層とp側クラッド層とによりはさんだ構造を有する半導体レーザにおいて、p側クラッド層のうち活性層との界面から100nm以内の所定距離離れた部分にZnなどのp型不純物を1×1018cm-3以上ドーピング飽和濃度以下の濃度にドープし、p側クラッド層のうち活性層との界面からその所定距離未満の部分はアンドープとする。n側クラッド層についても同様にするが、このときのSeなどのn型不純物の濃度は5×1017cm-3以上ドーピング飽和濃度以下にする。これに加えて、活性層を井戸層の数が少なくとも5以上の多重量子井戸構造とする。
其他摘要	要解决的问题：当用作光盘装置的光源和装有半导体激光器作为光源的光盘装置时，提供能够将返回光噪声降低到不可减小的最小值的半导体激光器。解决方案：半导体激光器配备有夹在N侧包覆层3和P侧包覆层5之间的有源层4，其中P侧包覆层5的一部分距离其界面5,100nm或更远。有源层4掺杂有诸如Zn之类的杂质，掺杂在1和1018cm-3之间，并且掺杂饱和浓度，并且P侧覆盖层5的区域从其与有源层的界面的范围内。第3层至规定距离100nm或以下保持未掺杂。 N侧包覆层3与P侧包覆层5进行相同的处理，其中N侧包覆层3掺杂有诸如Se的N型杂质，其中5和10以上是1017倍。 cm -3且低于掺杂饱和浓度。另外，有源层4具有多量子阱结构，其阱层数为5或更高。
申请日期	1998-05-11
专利号	JP4362873B2
专利状态	失效
申请号	JP1998127225
公开（公告）号	JP4362873B2
IPC 分类号	H01S \| H01S5/30 \| G11B7/125 \| H01S5/00 \| G11B
专利代理人	森幸一
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84462
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	ソニー株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	平田照二. 半導体レーザおよび光ディスク装置. JP4362873B2[P]. 2009-08-28.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP4362873B2.PDF（114KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文