Semiconductor laser element

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	Semiconductor laser element
其他题名	Semiconductor laser element
	SAWAI MASAAKI
	1985-10-04
专利权人	HITACHI SEISAKUSHO KK
公开日期	1985-10-04
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To enhance the reliability and the yield by reducing the area of a buried layer extended at both sides of an active layer of a BH-type semiconductor laser element, thereby decreasing the rate of possibility of generating ungrown region in the buried layer and reducing the improper characteristic. CONSTITUTION:A wafer 14 has an N type InP substrate 1, an N type InP buffer layer 2, an InGaAsP active layer 3, a P type InP clad layer 4, a P type InGaAsP cap layer 5 in a multilayer grown layer 15. The wafer 14 is partly etched, and a P type InP blocking layer 6, an N type P-buried layer 7, an N type InGaAsP cap layer 8 are buried. With an insulating film 10 as a mask zinc is implanted to form a zinc diffused region 9. An anode electrode 11 and a cathode electrode 12 are formed. The area of the buried layer for the area of the element becomes extremely narrow to reduce the frequency of occurring an ungrown region feasible occurring in the layer 6, thereby decreasing and preventing the leakage current passing the ungrown region from occurring.
其他摘要	用途：通过减小在BH型半导体激光器元件的有源层两侧延伸的埋层的面积来提高可靠性和产量，从而降低在埋层中产生未示出区域的可能性并减少不正当的特点。组成：晶圆14具有N型InP衬底1，N型InP缓冲层2，InGaAsP有源层3，P型InP覆层4，多层生长层15中的P型InGaAsP覆盖层5。部分蚀刻晶片14，并掩埋P型InP阻挡层6，N型P埋层7，N型InGaAsP盖层8。以绝缘膜10作为掩模，注入锌以形成锌扩散区域9.形成阳极电极11和阴极电极12。用于元件区域的掩埋层的面积变得非常窄，以降低在层6中可能发生的未生长区域的发生频率，从而减少和防止通过未生长区域的漏电流发生。
申请日期	1984-03-19
专利号	JP1985195983A
专利状态	失效
申请号	JP1984050929
公开（公告）号	JP1985195983A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S5/042 \| H01S5/227 \| H01S5/40 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84389
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	HITACHI SEISAKUSHO KK
推荐引用方式 GB/T 7714	SAWAI MASAAKI. Semiconductor laser element. JP1985195983A[P]. 1985-10-04.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1985195983A.PDF（346KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文