半導体レーザ素子

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	半導体レーザ素子
其他题名	半導体レーザ素子
	宇野智昭; 冨士原潔
	1996-08-09
专利权人	松下電器産業株式会社
公开日期	1996-08-09
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【目的】多重量子井戸構造を有し、高出力の半導体レーザを提供する。【構成】誘電体膜を高反射率コートして形成される側の前記活性共振器構造のストライプ幅Wa1が、前記誘電体膜を低反射率コートして形成される側の前記活性共振器構造のストライプ幅Wa2よりも広く設定されて、かつ前記活性共振器構造のストライプ幅がWa1からWa2まで連続して緩やかに変化することを特徴とする。ストライプ幅を変化させる効果により、キャリア密度分布が平坦化されるために、共振器内部の各点に於いて利得プロファイルが等しくなりその結果出力されるレーザ光強度スペクトルの波長幅が抑制される。また共振器内部に於いてキャリア密度が平均化されるために、従来例のように共振器の一部のみが高励起状態で劣化しやすく、また埋め込み層のサイリスタ動作を引き起こしやすい部分がなくなり、周囲温度の変化に対しても安定に高い光出力動作が得られる。
其他摘要	目的：通过使形成介电膜的一侧的有源谐振器结构的条带宽度作为比电介质膜侧的结构更宽的高反射率涂层，获得具有高光输出的半导体激光元件。形成为低反射率涂层，同时通过连续逐渐改变条纹宽度形成。组成：在形成电介质薄膜的一侧作为高反射率涂层的有源谐振器结构20的条带宽度比形成电介质薄膜的一侧的结构20宽，作为低反射率涂层。同时，条纹宽度连续逐渐变化。结果，增益分布在谐振器中的每个点处变得均匀，并且抑制了输出激光的强度光谱的波长宽度。因此，可以获得在其激光有源区域中具有多重量子阱结构和高光输出的半导体激光器元件。
申请日期	1995-01-26
专利号	JP1996204276A
专利状态	失效
申请号	JP1995010574
公开（公告）号	JP1996204276A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	小鍜治明 (外2名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84344
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	松下電器産業株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	宇野智昭,冨士原潔. 半導体レーザ素子. JP1996204276A[P]. 1996-08-09.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1996204276A.PDF（60KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文