Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体発光素子 | |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 軸谷 直人; 佐藤 俊一; 高橋 孝志 | |
| 2001-01-26 | |
| 专利权人 | RICOH CO LTD |
| 公开日期 | 2001-01-26 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 AlGaInP系発光素子において、閾値電流,特性温度等の素子特性の改善を図ることの可能な半導体発光素子を提供する。 【解決手段】 半導体基板1上に素子部が形成され、素子部には、格子定数がGaAsとGaPとの間の値をとる(Alx1Ga1-x1)y1In1-y1P(0≦x1≦1,0.51x2Ga1-x2)y2In1-y2P(0≦x2≦1,0≦y2≦1)を井戸層6bとし、p型クラッド層7と同じ組成の層を障壁層6aとしてなる多重量子障壁構造(MQB構造)6が設けられている。 |
| 其他摘要 | 提供一种能够改善AlGaInP基发光元件中的阈值电流，特征温度等元件特性的半导体发光元件。 元件部分形成在半导体衬底上，并且在元件部分中，晶格常数取GaAs和GaP之间的值（Al x 1 Ga 1-x 1 n型包覆层3和p型包覆层7（0≤x1≤1,0.51 y 1 In 1-y 1 P设置在有源层5的两侧，并且至少设置在n型包覆层3和p型包覆层7的p型包覆层7中，或者设置在p型包覆层7和有源层5之间。 （Al x 2 Ga 1 - x 2 ） y 2 在 1 - y 2（）中，能隙小于p型包层7其中P（0≤x2≤1,0≤y2≤1）是阱层6b和具有与p型覆层7相同组成的层的多量子势垒结构（MQB结构）6用作阻挡层6a例如。 |
| 申请日期 | 1999-07-09 |
| 专利号 | JP2001024285A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1999195960 |
| 公开（公告）号 | JP2001024285A |
| IPC 分类号 | H01S | H01S5/343 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 植本 雅治 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84190 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | RICOH CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 軸谷 直人,佐藤 俊一,高橋 孝志. 半導体発光素子. JP2001024285A[P]. 2001-01-26. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2001024285A.PDF（83KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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