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Liquid phase epitaxial device
其他题名Liquid phase epitaxial device
KANEKO TAKEO; YAMADA TOSHIYUKI; AYABE MASAAKI
1977-01-29
专利权人SONY CORP
公开日期1977-01-29
授权国家日本
专利类型发明申请
摘要PURPOSE:In a slide type liquid phase growth method, by arranging a substrate in a vertical direction and contacing the solution, the inclusion of the unnecessary solution shall be prevented and the high quality growth layer be obtained.
其他摘要用途:在滑动型液相生长方法中,通过在垂直方向上布置基板并使溶液接触,应防止包含不必要的溶液并获得高质量的生长层。
申请日期1975-07-18
专利号JP1977011860A
专利状态失效
申请号JP1975088124
公开(公告)号JP1977011860A
IPC 分类号H01L21/208 | H01S5/00 | H01S3/18
专利代理人-
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84172
专题半导体激光器专利数据库
作者单位SONY CORP
推荐引用方式
GB/T 7714
KANEKO TAKEO,YAMADA TOSHIYUKI,AYABE MASAAKI. Liquid phase epitaxial device. JP1977011860A[P]. 1977-01-29.
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