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発光素子及びその製造方法
其他题名発光素子及びその製造方法
林 伸彦; 狩野 隆司
2006-04-21
专利权人三洋電機株式会社
公开日期2006-07-12
授权国家日本
专利类型授权发明
摘要【課題】 発光層からIn、N等の構成原子の脱離を抑え、しきい値電流が大きくなることを防止した発光素子を提供する。 【解決手段】 第1クラッド層6上にInとNを含有する活性層7Bを有する発光層7が形成され、該発光層7上に第2クラッド層8が形成されている半導体レーザにおいて、発光層7は、活性層7B上にBを含有するキャップ層7Cを備えることを特徴とする。
其他摘要种类代码:A1一种发光元件,其防止诸如In和N的组成原子从发光层解吸并防止阈值电流增加。 解决方案:在半导体激光器中,其中在第一包层6上形成具有包含In和N的有源层7B的发光层7,并且在发光层7上形成第二包层8,层7在有源层7B上设置有包含B的盖层7C。
申请日期1999-05-24
专利号JP3796065B2
专利状态失效
申请号JP1999143487
公开(公告)号JP3796065B2
IPC 分类号H01L | H01S | H01S5/323 | H01L33/06 | H01S5/343 | H01L33/00 | H01L33/32 | H01S5/00
专利代理人▲角▼谷 浩
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84062
专题半导体激光器专利数据库
作者单位三洋電機株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
林 伸彦,狩野 隆司. 発光素子及びその製造方法. JP3796065B2[P]. 2006-04-21.
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