Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ装置およびその製造方法 | |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| 田尻 敦志; 林 伸彦 | |
| 1997-04-04 | |
| 专利权人 | 三洋電機株式会社 |
| 公开日期 | 1997-04-04 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 組み立て時に手間をかけることなく光出力を容易かつ正確にモニタすることができ、かつ量産時の特性のばらつきが小さい半導体レーザ装置を提供することである。 【解決手段】 ストライプ状のリッジ部の上部のp-AlGaAsクラッド層9上にp-GaAsコンタクト層10を形成し、p-GaAsコンタクト層10上にSiOX 膜11およびSiN膜12を順に形成する。ストライプ状のリッジ部の上部におけるSiN膜12にレーザビームをストライプ状に照射することによりp-GaAsコンタクト層10にストライプ状のSi拡散領域14を形成する。SiOX 膜11およびSiN膜12をパターニングした後、Si拡散領域14上にモニタ用電極15を形成し、p-GaAsコンタクト層10上にレーザ用電極16を形成する。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：提供一种半导体激光装置，其中可以容易且精确地监视光输出而不需要花费时间进行组装，并且在大规模生产的情况下特性的不规则性很小。解决方案：在条形脊部上的P-AlGaAs包层9上形成P-GaAs接触层10，并在P-GaAs接触层10上依次形成SiOx膜11和SiN膜12。通过用条形状的激光照射条形脊部上的SiN膜12，在P-GaAs接触层10上形成条形Si扩散区14。在图案化SiOx膜11和SiN膜12之后，在Si扩散区14上形成用于监视的电极15，并且在P-GaAs接触层10上形成用于激光的电极16。 |
| 申请日期 | 1995-09-21 |
| 专利号 | JP1997092928A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1995243436 |
| 公开（公告）号 | JP1997092928A |
| IPC 分类号 | H01L31/10 | H01S5/026 | H01S3/00 | H01S5/042 | H01L31/12 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 福島 祥人 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84017 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田尻 敦志,林 伸彦. 半導体レーザ装置およびその製造方法. JP1997092928A[P]. 1997-04-04. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1997092928A.PDF（184KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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