Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体光装置 | |
| 其他题名 | 半導体光装置 |
| 松本 信一; 馬渡 宏泰; 小高 勇 | |
| 1997-03-28 | |
| 专利权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 公开日期 | 1997-03-28 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 マスクに庇を形成することなく、平坦な埋め込み成長が可能であり、電極層の部分的エッチングを回避し、素子抵抗の低減が可能な高抵抗埋め込み構造半導体レーザを提供することを目的とする。 【解決手段】 半導体能動層1と、該半導体能動層1の上部に位置するクラッド層2と、該クラッド層2の上部に位置する電極層3とを内蔵するストライプ状のメサ構造11を有し、前記メサ構造11の両側が半絶縁性半導体結晶7によって埋め込まれている半導体光装置において、前記メサ構造11の断面の形状が、前記電極層3から前記クラッド層2のある位置36に至るまでは裾広がりの順テーパ状12であり、前記クラッド層2のある位置36から前記活性層1に至るまでは裾狭まりの逆テーパ状13であることを特徴とする。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：提供一种高电阻掩埋结构半导体激光器，能够在掩模上形成屋檐而平坦掩埋生长，避免电极层的部分蚀刻，并降低元件电阻到。 具有条形形状的台面结构，其包括半导体有源层，位于半导体有源层上的包层和位于包层上的电极层并且，台面结构11的两侧都埋有半绝缘半导体晶体7，台面结构11的截面形状从电极层3延伸到存在包层2的位置36锥形形状12具有逐渐扩展的锥形形状并且是倒锥形形状13，其从包层2的位置36朝向有源层1朝向底部变窄。 |
| 申请日期 | 1995-09-14 |
| 专利号 | JP1997083077A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1995236486 |
| 公开（公告）号 | JP1997083077A |
| IPC 分类号 | H01L29/41 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 光石 俊郎 (外2名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83997 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 松本 信一,馬渡 宏泰,小高 勇. 半導体光装置. JP1997083077A[P]. 1997-03-28. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1997083077A.PDF（159KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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