Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体量子井戸構造 | |
| 其他题名 | 半導体量子井戸構造 |
| 神徳 正樹; 河野 健治 | |
| 1993-12-17 | |
| 专利权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 公开日期 | 1993-12-17 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】導波路層にしめる量子井戸層の割合を高め、導波路として屈折率変化が大きく、低電圧化された半導体量子井戸構造を得る。 【構成】量子井戸層2と電子蓄積層4との間に電界制御層3を設け、該電界制御層3に上記電子蓄積層4と反対のタイプのドーピングを行い、上記量子井戸層2に強い電界がかからぬようにする。 |
| 其他摘要 | 目的：通过在量子阱结构和电子累积层之间提供电场控制层并执行与该电子累积层相反的类型的掺杂到电场控制，在很大程度上改变作为波导的折射率并降低电压层。组成：这种半导体量子阱结构具有量子阱层2，其交替层叠有窄能隙的阱层和宽能隙的势垒层，能隙的电流势垒层1宽于势垒层的能隙电子堆积层4的能隙比电流势垒层1的能隙窄，比阱层宽，掺杂浓度高于阱层的掺杂浓度。电子累积层4的电子通过电压压印进入量子阱层2，由此改变量子阱层2的电子密度。电场控制层3设置在量子阱层2和电子累积层4之间。电场控制层3经受与电子累积层4相反的类型的掺杂，由此施加强电消除了量子阱层2上的场。结果，折射率的大变化是显而易见的。由低电压。 |
| 申请日期 | 1992-06-01 |
| 专利号 | JP1993333388A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1992140286 |
| 公开（公告）号 | JP1993333388A |
| IPC 分类号 | H01L21/20 | H01L | H01S | G02F1/025 | H01L27/15 | G02F | G02F1/35 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 中村 純之助 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83909 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 神徳 正樹,河野 健治. 半導体量子井戸構造. JP1993333388A[P]. 1993-12-17. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1993333388A.PDF（224KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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