Manufacture of optical semiconductor device

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	Manufacture of optical semiconductor device
其他题名	Manufacture of optical semiconductor device
	FUJII TAKUYA
	1992-09-16
专利权人	FUJITSU LTD
公开日期	1992-09-16
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To form an optical waveguide layer having an excellent crystallinity and a multi-quantum well layer having an excellent crystallinity and steep hetero-interface. CONSTITUTION:This optical semiconductor device manufacturing method includes a process for growing an active layer having a multiplexed quantum well structure constituted by alternately forming mutli-quantum well layers 3a and barrier layers 3b on an optical waveguide layer 2 at the second temperature after the layer 2 is formed on a compound semiconductor substrate 1 at the first temperature and the temperature is lowered to the second temperature. The layer 2 and structure 3 are composed of III-IV compound semiconductors and the temperature drop from the first temperature to the second temperature is performed in an atmosphere which contains V group elements and does not substantially contain any III group element.
其他摘要	目的：形成具有优异结晶度的光波导层和具有优异结晶度和陡峭异质界面的多量子阱层。组成：该光学半导体器件制造方法包括生长具有多路量子阱结构的有源层的工艺，该多路量子阱结构通过在第二层之后的第二温度下在光波导层2上交替形成多量子阱层3a和阻挡层3b而构成。在第一温度下在化合物半导体衬底1上形成温度，并将温度降低到第二温度。层2和结构3由III-IV族化合物半导体构成，从第一温度到第二温度的温度降低在含有V族元素的气氛中进行，并且基本上不含任何III族元素。
申请日期	1991-02-15
专利号	JP1992260386A
专利状态	失效
申请号	JP1991021758
公开（公告）号	JP1992260386A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83903
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	FUJITSU LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	FUJII TAKUYA. Manufacture of optical semiconductor device. JP1992260386A[P]. 1992-09-16.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1992260386A.PDF（261KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文