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OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

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其他题名	-
	MUSHIGAMI MASAHITO; TANAKA HARUO; SAKYAMA HAJIME
	1993-10-08
专利权人	ROHM KK
公开日期	1993-10-08
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	PURPOSE:To avoid a reduction in the characteristics of a semiconductor laser by a method wherein a dopant is diffused from a second upper clad layer into a first upper clad layer and the carrier concentration in the interface part between these layers is made high to reduce a series resistance in an annealing process and at the same time, a second evaporation preventive layer is formed before the annealing process to stop the evaporation of other layers. CONSTITUTION:An N-type AlxGa1-xAs (x=0.6) lower clad layer 3, an AlxGa1-xAs (x=0.15) active layer 4, a P-type AlxGa1-xAs (X=0.6) first upper clad layer 5, an N-type GaAs photo absorption layer 6 and an N-type AlxGa1-xAs (x=0.15) evaporation preventive layer 7 are laminated on an N-type GaAs substrate 2. Then, a striped groove 9 to intrude into the layer 6 is bored, an As molecular beam is irradiated on the substrate 2 to evaporate an impurity being adhered on the substrate surface and at the same time, to evaporate part of the layer 6 and the layer 5 is exposed on the base part of the groove 9. After that, a P AlyGa1-yAs second upper clad layer 10 is laminated on the upper part of the layer 5 including this groove 9 while the carrier concentration in the layer 10 is made higher by one order magnitude than that in the layer 5, but at this time, a second evaporation preventive layer 13 is provided to stop the evaporation of other regions.
其他摘要	目的：通过一种方法避免半导体激光器特性的降低，其中掺杂剂从第二上包层扩散到第一上包层中，并且这些层之间的界面部分中的载流子浓度高，以减少a在退火工艺中串联电阻，同时，在退火工艺之前形成第二蒸发防止层，以阻止其它层的蒸发。组成：N型AlxGa1-xAs（x = 0.6）下包层3，AlxGa1-xAs（x = 0.15）有源层4，P型AlxGa1-xAs（X = 0.6）第一上包层5，在N型GaAs衬底2上层叠N型GaAs光吸收层6和N型Al x Ga 1-x As（x = 0.15）蒸发防止层7.然后，侵入层6的条纹槽9是在基板2上照射分子束以蒸发粘附在基板表面上的杂质，同时蒸发层6的一部分，并且层5暴露在凹槽9的基部上。之后，在包括该凹槽9的层5的上部层叠P + AlyGa1-yAs第二上包层10，同时使层10中的载流子浓度比层中的载流子浓度高一个数量级。如图5所示，此时，设置第二蒸发防止层13以阻止其他区域的蒸发。
申请日期	1989-01-24
专利号	JP1993072116B2
专利状态	失效
申请号	JP1989014349
公开（公告）号	JP1993072116B2
IPC 分类号	H01S \| H01L \| H01L21/203 \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83831
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	ROHM KK
推荐引用方式 GB/T 7714	MUSHIGAMI MASAHITO,TANAKA HARUO,SAKYAMA HAJIME. -. JP1993072116B2[P]. 1993-10-08.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1993072116B2.PDF（426KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文