Semiconductor laser device

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	Semiconductor laser device
其他题名	Semiconductor laser device
	NAITO YUMI
	1996-04-25
专利权人	MITSUI CHEMICALS, INCORPORATED
公开日期	1996-04-25
授权国家	加拿大
专利类型	发明申请
摘要	The present invention is directed to a semiconductorlaser device comprising, as shown in Fig. 1, on a bufferlayer 32 of n-GaAs, a clad layer 31, a wave guide layer 30and a carrier block layer 29 of n-AlGaAs, a side barrierlayer 28 of non-doped AlGaAs, an active layer 27 which isformed by two non-doped GaAs quantum well layers and abarrier layer of AlGaAs, a side barrier layer 26 of non-doped AlGaAs, a carrier block layer 25, a wave guide layer 23 anda clad layer 22 of p-AlGaAs, and a cap layer 21 of p-GaAs inthis order. Inside the wave guide layer 23, current narrowinglayers 24 having a lower refractive index and higher A1-composition than that of the wave guide layer are formed tosandwich a stripe-shaped active region 34. This creates arefractive index difference between the active region 34 andburied regions 33 in which each of the current narrowinglayers 24 exists, thereby forming a refractive index guidestructure. Thus, it is possible to obtain a high-outputsemiconductor laser device of the refractive index guidedtype which is easy to manufacture.
其他摘要	如图1所示，本发明涉及一种半导体激光器装置，其包括n-GaAs缓冲层32，包层31，波导层30和n-AlGaAs载流子阻挡层29，侧阻挡层28的非掺杂AlGaAs，由两个非掺杂GaAs量子阱层和AlGaAs绝缘层形成的有源层27，未掺杂AlGaAs的侧势垒层26，载流子阻挡层25，波导层23以及p-AlGaAs覆盖层22和p-GaAs覆盖层21。在波导层23内，形成具有比波导层低的折射率和更高的Al组分的电流狭窄层24，以形成条状有源区34.这在有源区34和埋入区之间产生折射率差其中存在每个当前窄化层24，由此形成折射率引导结构。因此，可以获得易于制造的折射率导向型的高输出功率半导体激光装置。
申请日期	1995-10-16
专利号	CA2203117A1
专利状态	失效
申请号	CA2203117
公开（公告）号	CA2203117A1
IPC 分类号	H01S5/343 \| H01S5/223 \| H01S5/00 \| H01S5/22 \| H01S5/20 \| H01S3/05
专利代理人	-
代理机构	KIRBY EADES GALE BAKER
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83818
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	MITSUI CHEMICALS, INCORPORATED
推荐引用方式 GB/T 7714	NAITO YUMI. Semiconductor laser device. CA2203117A1[P]. 1996-04-25.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CA2203117C.PDF（2232KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文