半導体レーザ素子とその製造方法

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	半導体レーザ素子とその製造方法
其他题名	半導体レーザ素子とその製造方法
	井手大輔
	1998-01-23
专利权人	SANYO ELECTRIC CO LTD
公开日期	1998-01-23
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】フォトレジスト技術といった複雑な工程を必要とせず、簡単なプロセスで、レーザ端面上に二つの異なる反射率を有する誘電体薄膜領域を形成することができ、高歩留まりで、良好な雑音特性をもつ半導体レーザ素子を提供することが目的である。【解決手段】エッチングによって活性層3とクラッド層2及び4とに段差を形成した後、1回の誘電体薄膜形成工程において、共振器端面の活性層3近傍部分の反射率が30%以上に、その他の部分の反射率が20%以下になるように、レーザ端面上に二つの異なる膜厚を有する誘電体薄膜領域10を形成することによって、レーザ素子に入射するディスクからの戻り光を、レーザへの入射部分、即ち端面が低反射率である基板部分1にほとんど吸収させ、活性層4にはほとんど吸収させずに、戻り光雑音を低減する。
其他摘要	要解决的问题：提供一种不需要复杂工艺的半导体激光元件，例如光刻胶技术，它可以在激光端面上形成具有两种不同反射系数的电介质薄膜区域，工艺简单且具有高产量和令人满意的噪音特性。解决方案：通过蚀刻在有源层3和包层2和4中形成台阶。然后，在激光器端面上形成具有两种不同膜厚度的电介质薄膜区域10，使得谐振器端面处的有源层3的邻近部分的反射系数变为30％或更大，并且在第一电介质薄膜形成工艺中，另一部分变为20％或更小。因此，来自进入激光元件的光盘的返回光几乎被激光器的入射部分吸收，即，其端面具有低反射系数的基板部分1。光很难被有源层4吸收，并且返回光噪声降低。
申请日期	1996-07-02
专利号	JP1998022565A
专利状态	失效
申请号	JP1996172179
公开（公告）号	JP1998022565A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	安富耕二 (外1名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83787
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	SANYO ELECTRIC CO LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	井手大輔. 半導体レーザ素子とその製造方法. JP1998022565A[P]. 1998-01-23.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1998022565A.PDF（177KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文