Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体装置の製造方法 | |
| 其他题名 | 半導体装置の製造方法 |
| 篠田 和典; ▲高▼澤 浩幸; 重田 淳二 | |
| 1999-10-15 | |
| 专利权人 | 株式会社日立製作所 |
| 公开日期 | 1999-10-15 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】化合物半導体装置のドライエッチング後の汚染表面を、加工精度を維持しつつ清浄化する方法を提供する。 【解決手段】ドライエッチング加工後の化合物半導体表面を硫化アンモニウム処理とフロロカーボンガスのプラズマエッチング処理により清浄化する。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：通过在硫化物溶液中进行湿法蚀刻处理和在形成沟道的工艺和进行嵌入生长的工艺之间使用含有碳氟化合物的反应气体的干蚀刻工艺来清洁干蚀刻后被污染的表面。解决方案：在n型InP衬底2上，连续地形成n型InP缓冲层4，未掺杂的多量子阱有源层5，p型InP覆盖层6和p型InGaAs接触层7由有机金属气相生长法形成。然后，通过热CVD法形成SiO 2条1并将其引入蚀刻处理装置，并且由于含有碳氟化合物的反应气体，通过干法蚀刻形成具有微米阶梯形状的凹槽。然后，从这样的晶片，通过由于硫化铵溶液的湿蚀刻消除In氧化物，嵌入半绝缘InP电流窄层8，形成p侧电极9，并且n侧电极10是形成在基板2的后表面上。 |
| 申请日期 | 1998-03-30 |
| 专利号 | JP1999283959A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1998083238 |
| 公开（公告）号 | JP1999283959A |
| IPC 分类号 | H01L21/306 | H01L21/3065 | H01S5/00 | H01L21/302 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 小川 勝男 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83767 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 篠田 和典,▲高▼澤 浩幸,重田 淳二. 半導体装置の製造方法. JP1999283959A[P]. 1999-10-15. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1999283959A.PDF（171KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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