Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| Semiconductor laser element | |
| 其他题名 | Semiconductor laser element |
| YAMASHITA SHIGEO; ONO YUICHI; KAJIMURA TAKASHI | |
| 1989-07-20 | |
| 专利权人 | HITACHI LTD |
| 公开日期 | 1989-07-20 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | PURPOSE:To eliminate adverse influence, such as displacement of a mask to be aligned in a photolithographic step, and to obtain low noise characteristic by employing again an etching mask for forming a mesa structure for a photoconductive wave, and selectively crystal growing a current narrowing layer. CONSTITUTION:A stripelike dielectric mask 5 provided on a third semiconductor layer 4 is operated as both a mask for forming a mesa for a photoconductive wave and a mask for selectively crystal-growing a fourth semiconductor current narrowing layer 9 to form both in a self-alignment manner. Thus, a problem of the displacement of the mask in a photolithography is eliminated, and the thickness of the layer 4 is so arbitrarily set in a stripe outside region as to effectively cause a pulsation advantageous for reducing the noise of a semiconductor laser in the element, thereby obtaining low noise characteristic. |
| 其他摘要 | 目的：消除不利影响，例如在光刻步骤中对准掩模的位移，并通过再次使用蚀刻掩模形成光电导波的台面结构，并选择性地晶体生长电流变窄来获得低噪声特性层。组成：设置在第三半导体层4上的条纹状电介质掩模5作为用于形成光电导波的台面的掩模和用于选择性地晶体生长第四半导体电流窄化层9的掩模操作，以在自身中形成两者。对齐方式。因此，消除了光刻中掩模位移的问题，并且在条纹外部区域中任意设置层4的厚度，以有效地产生有利于减少元件中的半导体激光器的噪声的脉动。从而获得低噪声特性。 |
| 申请日期 | 1988-01-18 |
| 专利号 | JP1989183182A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1988006875 |
| 公开（公告）号 | JP1989183182A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S5/065 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83758 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | YAMASHITA SHIGEO,ONO YUICHI,KAJIMURA TAKASHI. Semiconductor laser element. JP1989183182A[P]. 1989-07-20. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1989183182A.PDF（362KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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