Manufacture of semiconductor laser

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	Manufacture of semiconductor laser
其他题名	Manufacture of semiconductor laser
	FUJII TAKUYA; YAMAZAKI SUSUMU
	1990-11-20
专利权人	FUJITSU LTD
公开日期	1990-11-20
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To avoid a thermal deformation and to form an optical guide layer thereon while maintaining the height of a protrusionlike diffraction grating provided on a substrate at a predetermined value by vapor growing at a low temperature by an atomic layer epitaxial growth (ALE) method. CONSTITUTION:Part 31 of an InGaAsP layer for forming an optical guide layer 3 is formed on an InP substrate 1 provided with a diffraction grating 2, the grating 2 is covered therewith, and the residue 32 of the layer 3, an active layer 4 and a clad layer 5 are then sequentially formed by a normal MOVPE method. The grating 2 is not thermally deformed at 400 deg.C, and not thermally deformed at 400-650 deg.C after it is covered with an InGaAsP layer 3 Accordingly, the grating can preserve a predetermined height of the state provided initially on the substrate. The residue 32 of the layer and the other layer 4, the layer 5, etc., are formed by a normal MOVPE method.
其他摘要	目的：为了避免热变形并在其上形成光导层，同时通过原子层外延生长（ALE）方法通过在低温下蒸汽生长将设置在基板上的突起状衍射光栅的高度保持在预定值。组成：用于形成光导层3的InGaAsP层的部分31形成在设有衍射光栅2的InP衬底1上，光栅2被其覆盖，层3的残留物32，有源层4和然后通过常规MOVPE方法依次形成包层5。光栅2在400℃下不会热变形，并且在用InGaAsP层31覆盖之后不会在400-650℃下热变形。因此，光栅可以保持最初在其上提供的状态的预定高度。基质。层的残留物32和另一层4，层5等通过常规MOVPE方法形成。
申请日期	1989-04-25
专利号	JP1990283084A
专利状态	失效
申请号	JP1989105059
公开（公告）号	JP1990283084A
IPC 分类号	H01L21/205 \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83749
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	FUJITSU LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	FUJII TAKUYA,YAMAZAKI SUSUMU. Manufacture of semiconductor laser. JP1990283084A[P]. 1990-11-20.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1990283084A.PDF（364KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文