Semiconductor laser device

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	Semiconductor laser device
其他题名	Semiconductor laser device
	KAWANO HIDEO
	1991-03-28
专利权人	NEC CORP
公开日期	1991-03-28
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To improve reproducibility of oscillating wavelength and to oscillate a laser having 660 nm or less by forming an active layer to become a light emitting region on a crystalline surface having a surface index including no crystal plane (100) or (001), and forming an active layer to become a nonlight emitting region on a crystal plane (100) or (001). CONSTITUTION:A stripe V-shaped groove 13 interposed between planes (111) and (111) at an inside parallel to the orientation is formed on an N-type GaAs substrate 1 having a plane orientation (100). Then, an N-type buffer layer 14, an N-type clad layer 15, an active layer 16, a P-type clad layer 17, an etching stop layer 18 and a current blocking layer 19 are sequentially grown on the substrate 11 in which the groove 13 is formed to form a double hetero structure. Then, with an SiO2 film or a photoresist film as a mask a stripelike groove 20 exposed with the layer 18 is formed at a position opposed to the groove 13 through the layer 19. Thereafter, a contact layer 21 is grown. Subsequently, a P side electrode 22 is formed on the layer 21, and an N side electrode 23 is formed on the lower surface of a substrate 12, thereby completing a semiconductor laser device.
其他摘要	用途：通过形成有源层成为具有不包括晶面（100）或（001）的表面指数的晶体表面上的发光区域，提高振荡波长的再现性并振荡具有660nm或更小的激光，以及形成有源层以成为晶面（100）或（001）上的非光发射区域。组成：在平面（111）和（111）之间插入平行于方向的内侧的条纹V形凹槽13形成在具有平面方向（100）的N型GaAs衬底1上。然后，在基板11上依次生长N型缓冲层14，N型覆盖层15，有源层16，P型覆层17，蚀刻停止层18和电流阻挡层19。其中形成凹槽13以形成双异质结构。然后，以SiO 2膜或光致抗蚀剂膜作为掩模，在通过层19与沟槽13相对的位置处形成暴露有层18的条状沟槽20.之后，生长接触层21。随后，在层21上形成P侧电极22，并且在基板12的下表面上形成N侧电极23，从而完成半导体激光器件。
申请日期	1989-08-14
专利号	JP1991073584A
专利状态	失效
申请号	JP1989210315
公开（公告）号	JP1991073584A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S5/042 \| H01S5/22 \| H01S5/223 \| H01S5/24 \| H01S5/323 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83705
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	NEC CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	KAWANO HIDEO. Semiconductor laser device. JP1991073584A[P]. 1991-03-28.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1991073584A.PDF（325KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文