Method of fabricating semiconductor laser

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	Method of fabricating semiconductor laser
其他题名	Method of fabricating semiconductor laser
	NAGAI, YUTAKA; TADA, HITOSHI
	1998-07-28
专利权人	MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA
公开日期	1998-07-28
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	A method of fabricating a semiconductor laser includes successively epitaxially growing on a first conductivity type semiconductor substrate, a first conductivity type lower cladding layer, an active layer, a second conductivity type first upper cladding layer having a relatively high etching rate in an etchant, a second conductivity type etch stopping layer having a relatively low etching rate in the etchant, a second conductivity type second upper cladding layer, and a second conductivity type first contact layer; forming a stripe-shaped mask on the first contact layer; removing portions of the first contact layer and the second upper cladding layer in a first wet etching step to expose the etch stopping layer; removing portions of the second upper cladding layer in a second wet etching step to form a stripe-shaped ridge structure having a reverse mesa cross section without an intermediate construction; growing a first conductivity type current blocking layer contacting both sides of the ridge structure; and after removal of the mask, growing a second conductivity type second contact layer on the current blocking layer and on the first contact layer. The angle between the side wall of the ridge and the etch stopping layer is an acute angle so the stripe-shaped ridge structure has a perfect reverse mesa cross section and is narrowest proximate the active layer.
其他摘要	制造半导体激光器的方法包括在第一导电类型半导体衬底上依次外延生长，第一导电类型下包层，有源层，在蚀刻剂中具有相对高蚀刻速率的第二导电类型第一上覆层，a蚀刻剂中蚀刻速率相对较低的第二导电型蚀刻停止层，第二导电型第二上包层和第二导电型第一接触层;在第一接触层上形成条形掩模;在第一湿蚀刻步骤中去除第一接触层和第二上覆层的部分以暴露蚀刻停止层;在第二湿蚀刻步骤中去除第二上覆层的部分，以形成具有反向台面横截面而没有中间结构的条形脊结构;生长第一导电型电流阻挡层，接触脊结构的两侧;去除掩模后，在电流阻挡层和第一接触层上生长第二导电型第二接触层。脊的侧壁与蚀刻停止层之间的角度是锐角，因此条形脊结构具有完美的反向台面横截面并且在有源层附近最窄。
申请日期	1997-06-12
专利号	US5786234
专利状态	失效
申请号	US08/873459
公开（公告）号	US5786234
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S5/223 \| H01S5/323 \| H01S5/20 \| H01L21/00
专利代理人	-
代理机构	LEYDIG,VOIT & MAYER,LTD.
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83653
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA
推荐引用方式 GB/T 7714	NAGAI, YUTAKA,TADA, HITOSHI. Method of fabricating semiconductor laser. US5786234[P]. 1998-07-28.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US5786234.PDF（486KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文