Semiconductor laser device

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	Semiconductor laser device
其他题名	Semiconductor laser device
	KAWANO HIDEO
	1991-03-18
专利权人	NEC CORP
公开日期	1991-03-18
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To obtain excellent crystallizability, and enable lateral mode control, by forming the inner surface of a trench by using a specified crystal face, which trench is formed in a part of an N-type GaAs current blocking layer and turns to a current path. CONSTITUTION:On an N-type GaAs substrate 13 of face orientation (100), the following are grown in order by MOVPE method; an N-GaAs buffer layer 14, an N-(Al0.6Ga0.4)0.5In0.5P clad layer 15, a Ga0.5In0.5P active layer 16, a P-(Al0.6 Ga0.4)0.5 In0.5P clad layer 17, and an N-GaAs current blocking layer 18. Thus a double heterostructure wafer is formed. Next, by using an SiO2 film or a photoresist film as a mask, a part of the layer 18 and a part of the layer 17 are etched to expose the layer 17, and a stripe type trench 19 whose inner surface side is constituted of crystal face (111) and (1-1-1) is formed. Then the following are formed; a P-Ga0.5In0.5P protecting layer 20, a P-(Al0.6Ga0.4)0.5In0.5P buried layer 21, and a P-GaAs contact layer 22. A P-side electrode 23 is formed on the layer 22, and an N-side electrode 24 is formed on the lower surface of the substrate 13, thereby obtaining a semiconductor laser device.
其他摘要	目的：通过使用指定的晶面形成沟槽的内表面，以获得优异的可结晶性，并实现横向模式控制，该沟槽形成在N型GaAs电流阻挡层的一部分中并转变为电流路径。组成：在面取向（100）的N型GaAs衬底13上，通过MOVPE方法依次生长以下; N-GaAs缓冲层14，N-（Al0.6Ga0.4）0.5In0.5P包层15，Ga0.5In0.5P有源层16，P-（Al0.6Ga0.4）0.5In0。 5P包层17和N-GaAs电流阻挡层18.由此形成双异质结构晶片。接下来，通过使用SiO 2膜或光致抗蚀剂膜作为掩模，蚀刻层18的一部分和层17的一部分以暴露层17，以及其内表面侧由晶体构成的条形沟槽19形成面（111）和（1-1-1）。然后形成以下内容; P-Ga0.5In0.5P保护层20，P-（Al0.6Ga0.4）0.5In0.5P埋层21和P-GaAs接触层22.在该层上形成P侧电极23接着，如图22所示，在基板13的下表面形成N侧电极24，得到半导体激光装置。
申请日期	1989-07-28
专利号	JP1991062585A
专利状态	失效
申请号	JP1989197607
公开（公告）号	JP1991062585A
IPC 分类号	H01L21/308 \| H01S5/00 \| H01S5/042 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83558
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	NEC CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	KAWANO HIDEO. Semiconductor laser device. JP1991062585A[P]. 1991-03-18.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1991062585A.PDF（282KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文