半導体光集積素子及びその製造方法

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	半導体光集積素子及びその製造方法
其他题名	半導体光集積素子及びその製造方法
	鈴木誠; 青木雅博; 高橋誠; 谷渡剛
	2002-03-08
专利权人	株式会社日立製作所
公开日期	2002-05-27
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	【目的】量子井戸構造をもつ複数の異種機能を有する光素子間の100%光結合を容易に実現し、高歩留まりな作製方法を実現する。また、成長方向に均一な成長速度を得ること、光軸と直交方向に平坦な面内波長分布を得ること、埋込工程への適用を平易にすること、光通信システムの長距離化を容易に実現する素子を製造する。【構成】半導体基板1上に形成した絶縁膜パタ-ニングマスク2を用いた領域選択成長において、マスク幅並びにマスク間の目開き幅の可変範囲を数値限定し、同一の結晶成長工程で同一半導体基板1上に連続し且つ成長層厚又は組成が各光素子領域で異なる複数のバルク半導体層又は量子井戸構造3、4、5を形成し、それらのエネルギ-準位の差を利用して異種機能を有する半導体光素子を同一半導体基板1上に集積化する。
其他摘要	用途：通过一种方法，在一个基板上形成多个异质光学元件的情况下，以良好的精度形成生长层的层厚和组成，其中用于形成光学元件的绝缘膜图案掩模的开口宽度指定多个光学元件中的至少一个的波导部分。组成：在N型InP衬底1上的区域（e）上形成宽度为16到800μm的绝缘薄膜图案掩模2，并且掩模不形成在衬底1上的区域（f）上（宽度为面具= 0mum）。掩模2的开口宽度（生长区域的宽度）形成在10至30μm的范围内。通过有机金属气相生长方法在图案化衬底1上晶体生长化合物半导体混晶晶体3,4和5。在掩模2的宽度和筛孔宽度的范围内，构成所形成的化合物半导体混晶4的多阱层的阱层6和阻挡层7分别形成为平均厚度和均匀厚度的层。因此，高性能量子阱结构的光学元件可以容易地并且以高产率集成在同一衬底上。
申请日期	1993-08-04
专利号	JP3285426B2
专利状态	失效
申请号	JP1993193491
公开（公告）号	JP3285426B2
IPC 分类号	H01S5/0625 \| H01S5/026 \| H01S \| B82Y20/00 \| G02F \| H01L33/00 \| H01S5/00 \| H01S5/20 \| G02F1/025
专利代理人	小川勝男 (外1名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83383
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	株式会社日立製作所
推荐引用方式 GB/T 7714	鈴木誠,青木雅博,高橋誠,等. 半導体光集積素子及びその製造方法. JP3285426B2[P]. 2002-03-08.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP3285426B2.PDF（270KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文