Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体光素子 | |
| 其他题名 | 半導体光素子 |
| 加藤 隆志 | |
| 2008-08-28 | |
| 专利权人 | SUMITOMO ELECTRIC IND LTD |
| 公开日期 | 2008-08-28 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】電子のオーバーフローを抑制することができる半導体光素子を提供する。 【解決手段】半導体光素子10は、井戸層31及びバリア層32を含み量子井戸構造を有する活性層15と、バリア層32上に設けられIII-V族化合物半導体材料からなるオフセット層35(第1のクラッド層)と、オフセット層35上に設けられp型不純物を含む電子ストッパー層17と、電子ストッパー層17上に設けられオフセット層35と同一材料からなり、電子ストッパー層17のp型不純物濃度よりも低い濃度のp型不純物を含む第2のクラッド層18とを備える。 【選択図】図1 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：提供可以控制电子溢出的半导体光电元件。解决方案：半导体光电元件10包括有源层15，其包含阱层31和具有量子阱结构的势垒层32，偏移层35（第一包层），其位于阻挡层32上并且由III-V族化合物的半导体材料，位于偏移层35上并含有p型杂质的电子阻挡层17和位于电子阻挡层17上的第二包层18由电子阻挡层17构成。与偏移层35相同的材料，含有浓度低于电子阻挡层17的p型杂质浓度的p型杂质。 |
| 申请日期 | 2007-02-15 |
| 专利号 | JP2008198942A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP2007035283 |
| 公开（公告）号 | JP2008198942A |
| IPC 分类号 | H01S5/20 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 長谷川 芳樹 | 寺崎 史朗 | 柴田 昌聰 | 戸津 洋介 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83359 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SUMITOMO ELECTRIC IND LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 加藤 隆志. 半導体光素子. JP2008198942A[P]. 2008-08-28. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2008198942A.PDF（189KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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