Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ装置およびその製造方法 | |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| 細井 浩行; 嶋本 敏孝; 牧田 幸治 | |
| 2008-08-14 | |
| 专利权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 公开日期 | 2008-08-14 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 リッジ部を形成する材料と電流ブロック層を形成する材料とが異なっている場合に、その材料の相違に基づく応力の発生を低減させて発光領域に与えられる影響を小さくし、信頼性の高い半導体レーザ装置とその製造方法を提供すること。 【解決手段】 基板上に、第1導電型クラッド層と、活性層と、第2導電型クラッド層と、前記第2導電型クラッド層の一部がストライプ状に加工されたリッジ部と、前記リッジ部上の一部の領域を除いて形成された電流ブロック層とを備え、前記リッジ部の側方に、前記第2導電型クラッド層の一部が加工されて形成された、前記リッジ部より高さの低い応力緩和部を有する。 【選択図】図1 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：当形成脊部的材料与形成电流阻挡层的材料不同时，为了减少基于材料差异的应力的发生，以减少对发光区域的影响，以及制造半导体激光器件的方法。 第一导电型包层，活性层，第二导电型包层，其中第二导电型包层的一部分被加工成条形的脊部，并且形成除了脊部分上的区域的一部分之外的电流阻挡层，其中第二导电型包覆层的一部分在脊部分的侧面上加工，脊部分它具有较低高度的应力松弛部分。 点域1 |
| 申请日期 | 2007-01-26 |
| 专利号 | JP2008186859A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP2007016915 |
| 公开（公告）号 | JP2008186859A |
| IPC 分类号 | H01S5/22 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | 特許業務法人池内·佐藤アンドパートナーズ |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83263 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 細井 浩行,嶋本 敏孝,牧田 幸治. 半導体レーザ装置およびその製造方法. JP2008186859A[P]. 2008-08-14. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2008186859A.PDF（205KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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