Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
Photoelectric integrated circuit | |
其他题名 | Photoelectric integrated circuit |
ARIMA HIDEO; NORO TAKANOBU; YOKONO ATARU | |
1988-11-09 | |
专利权人 | 株式会社日立製作所 |
公开日期 | 1988-11-09 |
授权国家 | 日本 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | PURPOSE:To reduce the light transmission loss of an optical waveguide and to stabilize operation characteristics by mounting a part of an electric wiring on the surface of a polycrystalline substance substrate having specific linear expansion coefficient and heat conductivity and including .K heat conductivity and 3.5X10K-9.0X10K linear expansion coefficient and including 10wt.% glass component or an amorphous substance substrate having two attributes. A glass layer optically grounded and having borosilicate as a main component is formed on the surface of the substrate and then an optical waveguide layer 3 is formed on the surface of the glass layer. Since the heat conductivity of the substrate is high, heat generation from a light emitting diode or a semiconductor laser to be a light source can be easily discharged to the periphery, so that temperature rise in the device or the optical waveguide 3 can be reduce. Consequently, the operation of the light emitting source and the light transmission characteristics of the optical waveguide 3 can be stabilized. |
其他摘要 | 用途:通过在具有特定线性膨胀系数和导热率且包括<= 10wt。%玻璃组分的多晶物质基板的表面上安装一部分电线来减少光波导的光传输损耗并稳定操作特性或具有两个相同属性的无定形物质基质。组成:电线的一部分安装在多晶物质基板的表面上,其具有<= 10W·m -1 .K-1的导热率和3.5×10 -6 K -1 -9.0。 X10-6K-1线性膨胀系数,包括10wt。%的玻璃组分或具有两种属性的无定形物质基质。在基板的表面上形成光学接地并且具有硼硅酸盐作为主要成分的玻璃层,然后在玻璃层的表面上形成光波导层3。由于基板的导热率高,因此可以容易地将来自作为光源的发光二极管或半导体激光器的发热放电到周边,从而可以降低装置或光波导3中的温度升高。因此,可以稳定发光源的操作和光波导3的光传输特性。 |
申请日期 | 1987-04-30 |
专利号 | JP1988271207A |
专利状态 | 失效 |
申请号 | JP1987104252 |
公开(公告)号 | JP1988271207A |
IPC 分类号 | G02B6/122 | G02B6/12 | H01L27/15 | H01S5/00 | H01S3/18 |
专利代理人 | - |
代理机构 | - |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83182 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 株式会社日立製作所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | ARIMA HIDEO,NORO TAKANOBU,YOKONO ATARU. Photoelectric integrated circuit. JP1988271207A[P]. 1988-11-09. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
JP1988271207A.PDF(471KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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