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Photoelectric integrated circuit
其他题名Photoelectric integrated circuit
ARIMA HIDEO; NORO TAKANOBU; YOKONO ATARU
1988-11-09
专利权人株式会社日立製作所
公开日期1988-11-09
授权国家日本
专利类型发明申请
摘要PURPOSE:To reduce the light transmission loss of an optical waveguide and to stabilize operation characteristics by mounting a part of an electric wiring on the surface of a polycrystalline substance substrate having specific linear expansion coefficient and heat conductivity and including .K heat conductivity and 3.5X10K-9.0X10K linear expansion coefficient and including 10wt.% glass component or an amorphous substance substrate having two attributes. A glass layer optically grounded and having borosilicate as a main component is formed on the surface of the substrate and then an optical waveguide layer 3 is formed on the surface of the glass layer. Since the heat conductivity of the substrate is high, heat generation from a light emitting diode or a semiconductor laser to be a light source can be easily discharged to the periphery, so that temperature rise in the device or the optical waveguide 3 can be reduce. Consequently, the operation of the light emitting source and the light transmission characteristics of the optical waveguide 3 can be stabilized.
其他摘要用途:通过在具有特定线性膨胀系数和导热率且包括<= 10wt。%玻璃组分的多晶物质基板的表面上安装一部分电线来减少光波导的光传输损耗并稳定操作特性或具有两个相同属性的无定形物质基质。组成:电线的一部分安装在多晶物质基板的表面上,其具有<= 10W·m -1 .K-1的导热率和3.5×10 -6 K -1 -9.0。 X10-6K-1线性膨胀系数,包括10wt。%的玻璃组分或具有两种属性的无定形物质基质。在基板的表面上形成光学接地并且具有硼硅酸盐作为主要成分的玻璃层,然后在玻璃层的表面上形成光波导层3。由于基板的导热率高,因此可以容易地将来自作为光源的发光二极管或半导体激光器的发热放电到周边,从而可以降低装置或光波导3中的温度升高。因此,可以稳定发光源的操作和光波导3的光传输特性。
申请日期1987-04-30
专利号JP1988271207A
专利状态失效
申请号JP1987104252
公开(公告)号JP1988271207A
IPC 分类号G02B6/122 | G02B6/12 | H01L27/15 | H01S5/00 | H01S3/18
专利代理人-
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83182
专题半导体激光器专利数据库
作者单位株式会社日立製作所
推荐引用方式
GB/T 7714
ARIMA HIDEO,NORO TAKANOBU,YOKONO ATARU. Photoelectric integrated circuit. JP1988271207A[P]. 1988-11-09.
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