Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体発光素子 | |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 簗嶋 克典; 河角 孝行 | |
| 1997-07-11 | |
| 专利权人 | SONY CORP |
| 公开日期 | 1997-07-11 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 長寿命かつ高信頼性のII-VI族化合物半導体を用いた半導体発光素子を提供する。 【解決手段】 発光素子構造を構成するn型Zn0.68Mg0.2 Cd0.12Seクラッド層9、Zn0.75Cd0.25Se活性層10、p型Zn0.68Mg0.2 Cd0.12Seクラッド層11をこれらの層と格子整合するn型In0.3 Ga0.7 As層8を介してn型GaAs基板1上に積層する。n型GaAs基板1とn型In0.3Ga0.7 As層8との間には、n型In0.05Ga0.95As層3、n型In0.1 Ga0.9 As層4、n型In0.15Ga0.85As層5、n型In0.2 Ga0.8 As層6およびn型In0.25Ga0.75As層7を挿入し、格子不整合を緩和する。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：提供使用寿命长且可靠性高的II-VI化合物半导体发光器件。解决方案：由N型Zno0.68作为Mg0.2 Cd0.12Se包层9，Zn0.75 Cd0.25Se有源层10和P型Zn0.68 ME0.2组成的发光器件结构Cd0.12 Se覆盖层11通过与器件结构晶格匹配的N型In0.3Ga0.7As层8的中间层层叠在N型GaAs衬底1上。 N型In0.05 Ga0.95 As层3，N型In0.1 Ga0.9 As层4，N型In0.15 Ga0.85 As层5，N型In0.2 Ga0 .8作为层6，在N型InGaAs衬底1和N型In0.3 Ga0.7As层8之间插入N型In0.25Ga0.75As层7，以便弛豫晶格失配。 |
| 申请日期 | 1995-12-25 |
| 专利号 | JP1997181398A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1995351077 |
| 公开（公告）号 | JP1997181398A |
| IPC 分类号 | H01L21/363 | H01L33/40 | H01L21/203 | H01L33/08 | H01S5/042 | H01L33/30 | H01L33/14 | H01S5/00 | H01L33/28 | H01S3/18 | H01L33/00 |
| 专利代理人 | 杉浦 正知 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83074 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 簗嶋 克典,河角 孝行. 半導体発光素子. JP1997181398A[P]. 1997-07-11. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1997181398A.PDF（241KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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