Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体発光素子及びその製造方法 | |
| 其他题名 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| 加守田 裕樹; 速水 一行 | |
| 1993-11-05 | |
| 专利权人 | OMRON CORP |
| 公开日期 | 1993-11-05 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】 面発光型の半導体発光素子を、表面モホロジーを劣化させることなく、単純な製造プロセスで製造できるようにする。 【構成】 基板1上にn型バッファ層2、n型下クラッド層3、活性層4、p型上クラッド層5、n型電流ブロック層6、p型導電層7、p型コンタクト層8及び拡散保護層9を1回の結晶成長工程により順次エピタキシャル成長させる。拡散保護層9上に拡散剤層10を形成し、p型上クラッド層5まで不純物を拡散させ、p型電流通路領域11を形成する。拡散保護層9をエッチング除去し、p型コンタクト層8を露出させ、その上にp側電極12を形成する。 |
| 其他摘要 | 目的：使表面发光型标题装置能够通过简单的制造工艺制造而不会使表面形态恶化。组成：n型缓冲层2，n型下包层3，有源层4，p型上包层5，n型电流阻挡层6，p型导电层7，通过晶体生长在衬底1上一个接一个地外延生长p型接触层8和扩散保护层9。扩散保护层9覆盖有扩散层10，杂质扩散到p型上包层5，形成p型电流通过区域1扩散保护层9被蚀刻掉，露出p型接触层8，其覆盖有p侧电极12。 |
| 申请日期 | 1992-04-15 |
| 专利号 | JP1993291616A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1992122649 |
| 公开（公告）号 | JP1993291616A |
| IPC 分类号 | H01L33/36 | H01L | H01S | H01L33/12 | H01L33/14 | H01L33/30 | H01S5/00 | H01L33/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 中野 雅房 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83054 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | OMRON CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 加守田 裕樹,速水 一行. 半導体発光素子及びその製造方法. JP1993291616A[P]. 1993-11-05. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1993291616A.PDF（147KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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