Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ装置 | |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 中山 久志; 鬼頭 雅弘; 石野 正人; 松井 康 | |
| 2000-09-14 | |
| 专利权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 公开日期 | 2000-09-14 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 本発明は、電子のオーバーフローを抑制し、かつ結晶性の良好な活性層を有する半導体レーザ装置を提供することを目的とする。 【解決手段】 n型InP基板101と、前記n型InP基板1上に形成されたp型InPクラッド層106およびn型InPクラッド層102と、前記p型InPクラッド層106と前記n型InPクラッド層102との間に形成され、InGaAsP障壁層109とInGaAsP井戸層108とを交互にそれぞれ2層以上形成してなる活性層104とを備え、隣り合う前記InGaAs障壁層109と前記InGaAs井戸層108との伝導帯のバンドオフセット量の絶対値を前記p型InPクラッド層106に近づくほど大きくする。 |
| 其他摘要 | 本发明的目的是提供一种抑制电子溢出的半导体激光器件，并具有结晶性良好的有源层。 形成在n型InP衬底上的p型InP包层和n型InP包层，以及在n型InP衬底上形成p型InP包层和n型InP包层，并且，在InGaAsP阻挡层109和InGaAsP阱层108之间交替形成两层或更多层的有源层104，以及InGaAs势垒层109和InGaAs阱层108随着导带的带偏移量接近p型InP包层106。 |
| 申请日期 | 1999-03-02 |
| 专利号 | JP2000252590A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1999054117 |
| 公开（公告）号 | JP2000252590A |
| IPC 分类号 | H01S | H01S5/343 | H01S5/34 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 岩橋 文雄 (外2名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83027 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中山 久志,鬼頭 雅弘,石野 正人,等. 半導体レーザ装置. JP2000252590A[P]. 2000-09-14. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2000252590A.PDF（204KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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