Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种垂直腔面发射激光器及其制作方法 | |
| 其他题名 | 一种垂直腔面发射激光器及其制作方法 |
| 郭霞; 史磊; 李冲; 何艳; 胡帅; 董建 | |
| 2016-03-30 | |
| 专利权人 | 北京工业大学 |
| 公开日期 | 2016-03-30 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 一种垂直腔面发射激光器及其制作方法属于半导体光电子技术领域。激光器，包括下电极，衬底，有源区和上电极，包括下布拉格反射镜，有源区，电流限制层，电流限制孔，上布拉格反射镜和SiO2钝化层，其特征在于：上布拉格反射镜上方设有出光窗口，所述出光窗口布置有银纳米线透明导电薄膜，使电流从电极向有源区扩散的更均匀，从而提高出光质量和输出光功率。器件制作所用工艺为传统垂直腔面发射激光器制作工艺，不增加额外加工工艺，制作成本低，可操作性强，可重复性好。 |
| 其他摘要 | 一种垂直腔面发射激光器及其制作方法属于半导体光电子技术领域。激光器，包括下电极，衬底，有源区和上电极，包括下布拉格反射镜，有源区，电流限制层，电流限制孔，上布拉格反射镜和SiO2钝化层，其特征在于：上布拉格反射镜上方设有出光窗口，所述出光窗口布置有银纳米线透明导电薄膜，使电流从电极向有源区扩散的更均匀，从而提高出光质量和输出光功率。器件制作所用工艺为传统垂直腔面发射激光器制作工艺，不增加额外加工工艺，制作成本低，可操作性强，可重复性好。 |
| 申请日期 | 2016-01-09 |
| 专利号 | CN105449518A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN201610013644.3 |
| 公开（公告）号 | CN105449518A |
| IPC 分类号 | H01S5/183 | H01S5/343 |
| 专利代理人 | 刘萍 |
| 代理机构 | 北京思海天达知识产权代理有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82554 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 北京工业大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郭霞,史磊,李冲,等. 一种垂直腔面发射激光器及其制作方法. CN105449518A[P]. 2016-03-30. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN105449518A.PDF（464KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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