双面散热的高效大功率半导体激光器

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	双面散热的高效大功率半导体激光器
其他题名	双面散热的高效大功率半导体激光器
	沈光地; 马莉; 陈依新
	2013-07-10
专利权人	沈光地
公开日期	2013-07-10
授权国家	中国
专利类型	实用新型
摘要	双面散热的高效大功率半导体激光器，属于半导体光电子技术领域。其包括：从上往下依次纵向层叠的具有散热和高导电导热功能的转移衬底，上散热电极，上重掺接触层，上限制层，有源区，下限制层，下重掺接触层，下散热电极。其在制备过程中引入外延结构。所述的外延结构带有腐蚀停层或带有牺牲层。带有腐蚀停层的外延结构，包括有依次纵向层叠的上重掺接触层，上限制层，有源区，下限制层，下重掺接触层，腐蚀停层，缓冲层，衬底。带有牺牲层的外延结构，包括有依次纵向层叠的上重掺接触层，上限制层，有源区，下限制层，下重掺接触层，牺牲层，缓冲层，衬底。本实用新型器件散热性能好，激光输出功率高，光电特性好。使用寿命长。节约成本。
其他摘要	双面散热的高效大功率半导体激光器，属于半导体光电子技术领域。其包括：从上往下依次纵向层叠的具有散热和高导电导热功能的转移衬底，上散热电极，上重掺接触层，上限制层，有源区，下限制层，下重掺接触层，下散热电极。其在制备过程中引入外延结构。所述的外延结构带有腐蚀停层或带有牺牲层。带有腐蚀停层的外延结构，包括有依次纵向层叠的上重掺接触层，上限制层，有源区，下限制层，下重掺接触层，腐蚀停层，缓冲层，衬底。带有牺牲层的外延结构，包括有依次纵向层叠的上重掺接触层，上限制层，有源区，下限制层，下重掺接触层，牺牲层，缓冲层，衬底。本实用新型器件散热性能好，激光输出功率高，光电特性好。使用寿命长。节约成本。
申请日期	2012-07-20
专利号	CN203056367U
专利状态	失效
申请号	CN201220354910.6
公开（公告）号	CN203056367U
IPC 分类号	H01S5/024
专利代理人	魏聿珠
代理机构	北京思海天达知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82546
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	沈光地
推荐引用方式 GB/T 7714	沈光地,马莉,陈依新. 双面散热的高效大功率半导体激光器. CN203056367U[P]. 2013-07-10.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN203056367U.PDF（371KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文