Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 수직 공진 표면 발광 레이저 다이오드의 ＤＢＲ 구조물 및그 제조방법과 수직 공진 표면 발광 레이 | |
| 其他题名 | 수직 공진 표면 발광 레이저 다이오드의 ＤＢＲ 구조물 및그 제조방법과 수직 공진 표면 발광 레이 |
| 김기수; 한원석; 김성복; 오대곤 | |
| 2007-06-12 | |
| 专利权人 | 한국전자통신연구원 |
| 公开日期 | 2007-06-12 |
| 授权国家 | 韩国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | The invention relates to the DBR structure of the vertical-cavity surface-emitting laser diode and manufacturing method thereof and vertical-cavity surface-emitting laser diode. The DBR structure of this vertical-cavity surface-emitting laser diode has the refractive index lower than the InAlGaAs layer having the first refractive index formed in upper part the InP substrate: the first refractive index. And the first InAlAs layer formed on the InAlGaAs layer, the InP layer, and the second InAlAs layer are included. The InP layer has the refractive index lower than the first refractive index and is formed on the first InAlAs layer. The second InAlAs layer has the refractive index lower than the first refractive index and is formed on the InAlGaAs layer. Accordingly, the optical loss generated by the type-II band lineup generated in the junction of the InP layer and InAlGaAs layer are reduced. Therefore the device characteristic can be improved. The DBR (distributed Bragg reflector), the InAlGaAs, the InP, the InAlAs, the vertical surface surface emitting laser (VCSEL) diode . |
| 其他摘要 | 本发明涉及垂直腔面发射激光二极管的DBR结构及其制造方法和垂直腔面发射激光二极管。该垂直腔面发射激光二极管的DBR结构的折射率低于InAlGaAs层，该InAlGaAs层具有在InP衬底的上部形成的第一折射率：第一折射率。并且包括在InAlGaAs层，InP层和第二InAlAs层上形成的第一InAlAs层。 InP层具有低于第一折射率的折射率并且形成在第一InAlAs层上。第二InAlAs层的折射率低于第一折射率，并形成在InAlGaAs层上。因此，减少了由InP层和InAlGaAs层的结中产生的II型带阵列产生的光学损耗。因此，可以改善器件特性。 DBR（分布式布拉格反射器），InAlGaAs，InP，InAlAs，垂直表面发射激光器（VCSEL）二极管。 |
| 申请日期 | 2006-06-01 |
| 专利号 | KR1020070059853A |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | KR1020060049238 |
| 公开（公告）号 | KR1020070059853A |
| IPC 分类号 | H01S5/183 |
| 专利代理人 | SHIN, YOUNG MOO |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82500 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 한국전자통신연구원 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 김기수,한원석,김성복,等. 수직 공진 표면 발광 레이저 다이오드의 ＤＢＲ 구조물 및그 제조방법과 수직 공진 표면 발광 레이. KR1020070059853A[P]. 2007-06-12. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| KR1020070059853A.PDF（273KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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